12일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 QLC 9세대 V낸드를 양산했다고 밝혔다.
QLC 9세대 V낸드는 셀 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 예측 프로그램을 갖췄다. 이를 통해 전 세대보다 성능을 100%, 데이터 입출력 속도를 60% 개선했다는 설명이다.
또 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(비트라인)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'도 적용했다. 데이터 읽기·쓰기 소비 전력을 전 세대보다 각각 30%, 50%씩 줄였다.
삼성전자는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현했다. 채널 홀 에칭은 몰드 층을 순차적으로 적층하고 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술을 말한다. 셀과 페리(셀 동작을 관장하는 각종 회로) 면적도 최소화했다. 이에 따라 전 세대보다 비트 밀도를 약 86% 높여 업계 최고 수준을 갖췄다.
디자인드 몰드 기술을 활용하면서 데이터 보존 성능도 이전 제품보다 약 20% 향상됐다. 디자인드 몰드는 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL(워드라인)의 간격을 조절하고 적층하는 기술을 뜻한다.
삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC·서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 늘려나갈 계획이다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다"며 "최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 말했다.
김대영 한경닷컴 기자 kdy@hankyung.com
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