[단독] 삼성, 400단 '꿈의 낸드'로 반격

삼성전자가 저장 용량이 크고 열도 잘 방출해 ‘인공지능(AI) 시대 필수 반도체’가 될 것으로 전망되는 ‘BV낸드플래시(Bonding Vertical NandFlash)’를 2026년 출시한다.

삼성이 2013년 세계 최초로 개발한 V낸드(저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 용량을 극대화한 제품)에 본딩(접합) 기술을 결합해 400단 이상 수직 적층할 수 있는 신개념 제품이다. 전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장(부회장)이 추진하는 ‘근원기술 경쟁력 강화’ 프로젝트가 닻을 올렸다는 평가가 나온다.

28일 한국경제신문이 입수한 삼성전자의 메모리반도체 개발 계획에 따르면 DS부문은 2026년 셀을 400단 이상으로 쌓은 BV낸드 생산에 들어간다. 현재 낸드는 한 개의 웨이퍼에 칩의 컨트롤을 담당하는 페리를 두고, 그 위에 셀을 최대 286층까지 쌓는다. 셀 적층 과정에서 생기는 하단부 페리의 손상과 열 방출 능력 저하로 더 높이 쌓지는 못한다.

삼성은 셀을 먼저 쌓은 뒤 다른 웨이퍼에서 제조한 페리를 붙이는 신개념 본딩 기술을 적용해 성능과 안정성을 높이기로 했다.

황정수/박의명 기자 hjs@hankyung.com