하이닉스반도체가 오늘(4일) 30나노급 2기가비트 차세대 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔습니다.
DDR4 D램은 현재 시장 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도가 초당 2400메가비트로 기존 제품에 비해 처리속도가 80% 가량 향상됐습니다.
하이닉스 김지범 전무는 “이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경, 저전력, 고성능 특성을 모두 만족시켰다”며 “이를 통해 PC와 서버 시장은 물론이고 급성장하는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것”이라고 밝혔습니다.
시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR4 D램 비중은 2013년 5%에서 2015년 50%로 향후 시장 주력제품이 될 전망입니다. 하이닉스는 이 제품을 내년 하반기부터 본격 양산해 DDR4 시장을 선도한다는 계획입니다.
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