R램, M램…차세대 메모리 개발 '박차'

입력 2011-07-13 18:15  

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<앵커> 차세대 메모리 시장 선점을 위한 업체들의 경쟁이 뜨겁습니다. 삼성전자가 R램 신기술 개발에 성공했다고 발표한데 이어 하이닉스반도체는 역시 차세대 메모리 M램 상용화를 위해 도시바와 손을 잡았습니다. 정봉구 기자입니다.

<기자> 전세계 메모리반도체 2위 업체 하이닉스반도체가 차세대 메모리 반도체 STT-M램 개발을 위해 3위 도시바와 손을 잡았습니다.

STT-M램은 D램의 데이터 처리 속도와 플래시메모리의 데이터 저장 능력, 두 메모리반도체의 장점만을 모은 차세대 메모리 반도체 가운데 하나입니다.

이 반도체가 적용된 USB를 예로 들자면 수명은 더 길어지고 파일을 옮기는 시간은 대폭 줄어드는 겁니다.

저장 용량은 늘리고 제품 크기는 줄이고, 속도는 더 빠른 IT 제품을 원하는 소비자들의 니즈를 충족시키기 위해 필수적인 반도체입니다.

하이닉스반도체는 앞선 M램 개발 기술을 보유한 도시바와 손을 잡고 차세대 메모리 반도체 시장에서 주도권을 잡는다는 계획입니다.

특히 개발한 제품은 합작사 설립을 통해 공동생산에도 나설 예정입니다.

이에 앞서 삼성전자는 1조번 이상 데이터를 쓰고 지울 수 있는 역시 차세대 반도체 가운데 하나인 R램 신기술 개발에 성공했다고 밝혔습니다.

최근 낸드플래시 분야에서 도시바의 거센 추격을 받고 있는 삼성전자는 차세대 제품 개발로 메모리 반도체 시장 리더십을 공고히 한다는 계획입니다.

삼성전자는 5년, 하이닉스는 3년 뒤 상용화를 목표로 잡고 있는 가운데 차세대 메모리 시장 선점을 위한 총성없는 전쟁이 시작되고 있습니다.

WOW-TV NEWS 정봉구입니다.

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