SK하이닉스가 6Gb(기가비트) LPDDR3(Low Power DDR3) 제품을 개발했습니다.
이 제품은 20나노급 기술이 적용됐으며, 저전력과 고용량의 특성을 갖춘 최적의 모바일 메모리 솔루션으로 평가받고 있습니다.
이 제품을 4단 적층하면 3GB(기가바이트, 24Gb)의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있는데, 이 경우 자사의 4Gb 단품으로 6단 적층한 같은 용량과 비교해 동작 전력뿐만 아니라 대기 전력 소모도 30% 정도 줄어들고 패키지 높이를 보다 얇게 구성할 수 있게 됩니다.
이 제품의 속도는 1866Mbps이며, 32개의 정보출입구를 통해 싱글 채널은 최대 초당 7.4GB(기가바이트), 듀얼 채널의 경우 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있습니다.
SK하이닉스 마케팅본부장 진정훈 전무는 "특히 고사양 모바일 기기에 최적화 된 메모리 솔루션인 6Gb LPDDR3 기반의 3GB 메모리 솔루션으로 시장을 선도할 수 있게 됐다는데 의의가 있다"고 밝혔습니다.
3GB LPDDR3 제품의 경우, 내년 상반기부터 고성능 스마트폰을 중심으로 채용이 본격화 될 것으로 예상되며, 2015년까지도 지속적으로 채용될 것으로 전망됩니다.
한편 이 제품은 고객에게 샘플을 공급하기 시작했으며, 내년 초 양산을 목표로 하고 있습니다.
이 제품은 20나노급 기술이 적용됐으며, 저전력과 고용량의 특성을 갖춘 최적의 모바일 메모리 솔루션으로 평가받고 있습니다.
이 제품을 4단 적층하면 3GB(기가바이트, 24Gb)의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있는데, 이 경우 자사의 4Gb 단품으로 6단 적층한 같은 용량과 비교해 동작 전력뿐만 아니라 대기 전력 소모도 30% 정도 줄어들고 패키지 높이를 보다 얇게 구성할 수 있게 됩니다.
이 제품의 속도는 1866Mbps이며, 32개의 정보출입구를 통해 싱글 채널은 최대 초당 7.4GB(기가바이트), 듀얼 채널의 경우 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있습니다.
SK하이닉스 마케팅본부장 진정훈 전무는 "특히 고사양 모바일 기기에 최적화 된 메모리 솔루션인 6Gb LPDDR3 기반의 3GB 메모리 솔루션으로 시장을 선도할 수 있게 됐다는데 의의가 있다"고 밝혔습니다.
3GB LPDDR3 제품의 경우, 내년 상반기부터 고성능 스마트폰을 중심으로 채용이 본격화 될 것으로 예상되며, 2015년까지도 지속적으로 채용될 것으로 전망됩니다.
한편 이 제품은 고객에게 샘플을 공급하기 시작했으며, 내년 초 양산을 목표로 하고 있습니다.