SK하이닉스, 처리속도 4배 빠른 모바일 D램 개발

SK하이닉스가 업계 최초로 고성능 와이드 IO2 모바일 D램(와이드 IO2)을 개발했습니다.

SK하이닉스는 `와이드 IO2`가 차세대 고성능 모바일 D램의 한 종류로, 20나노급 공정을 적용한 8Gb(기가비트) 용량의 제품이라고 밝혔습니다.
특히, LPDDR4와 같은 1.1V 동작전압에서 저전력 특성을 강화했으며, 정보입출구(I/O)의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높인 것이 특징이라고 회사측은 설명했습니다.

기존 LPDDR4는 3200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능했지만 `와이드 IO2`는 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터를 처리 할 수 있습니다.
초당 처리 용량은 기존 LPDDR4 보다 4배 빠른 것으로 현존하는 모바일 D램 가운데 최고 성능입니다.

김진국 SK하이닉스 모바일 개발본부장 상무는 “와이드 IO2 제품을 통해 확대되는 고성능 모바일 D램에 대한 고객의 요구를 만족시킬 것”이라며 “향후에도 지속적으로 고성능, 저전력 제품을 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다”고 말했습니다.