삼성전자가 세계 최초로 `256Gb(기가비트) 5세대 V낸드`를 본격 양산합니다.
삼성전자는 `5세대 V낸드`에 자체 개발한 3대 혁신 기술을 이용해 `3차원 CTF 셀`을 90단 이상 쌓는 적층기술을 상용화했다고 10일 밝혔습니다.
`5세대 V낸드`는 차세대 낸드 인터페이스 `Toggle DDR 4.0 규격`을 처음 적용한 제품으로 초당 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠릅니다.
제품에는 단층을 피라미드 모양으로 쌓고, 최상단에서 최하단까지 수직으로 수백나노미터 직경의 미세한 구멍을 뚫어, 데이터를 저장하는 `3차원(원통형) CTF 셀(CELL)`을 850억개 이상 형성하는 최고 난이도의 기술이 적용됐습니다.
특히 단수를 올리는데 비례해 높아지는 셀 영역의 높이를 20%나 낮추는 기술 개발로 4세대 제품대비 생산성도 30% 이상 높였습니다.
삼성전자는 `5세대 V낸드`의 성능과 생산성을 극대화 하기 위해 독자 개발한 ▲초고속·저전압 동작 회로 설계 기술 ▲고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계 기술 ▲텅스텐 원자층박막 공정 기술 등 `3대 혁신기술`울 적용했다고 설명했습니다.
경계현 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장은 "5세대 V낸드 적기 개발로 빠르게 성장하는 프리미엄 메모리 시장에서 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 선보이게 됐다"며 "향후 1Tb(테라비트)와 QLC(Quad Level Cell) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 차세대 메모리 시장의 변화를 더욱 가속화할 것"이라고 말했습니다.
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