SK하이닉스가 모바일 D램 제품으로는 처음으로 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 적용한 LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X) 개발에 성공했다고 9일 밝혔다.
HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 것이 특징이다.
SK하이닉스는 제품 개발 단계에서 업계 최초로 HKMG 공정을 도입했다며 "고성능은 물론 모바일 D램 중 최저 전력소모 특성을 구현해낸 데 의미를 두고 있다"고 말했다.
SK하이닉스는 최근 LPDDR5X 양산에 들어가 시장에 제품을 공급하고 있다. 이번 제품의 동작속도는 초당 8.5Gb(기가비트)로 이전 세대 대비 33% 빠르다.
이번 LPDDR5X 신제품은 초고속을 구현하는 동시에 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01∼1.12V(볼트)에서 작동한다. 그 결과 기존 제품 대비 소비전력이 25% 줄어 현재 시장에 출시된 모바일 D램 중 전력사용 효율성이 가장 높다고 SK하이닉스는 설명했다.
대표적인 메모리 반도체인 D램은 서버·PC에 주로 들어가는 DDR과 스마트폰·태블릿에 들어가는 모바일용 LPDDR로 나뉜다. 모바일용의 경우 낮은 전력 소모가 관건이라 규격명에 LP(Low Power)가 붙는다.
현재 DDR은 DDR5로 5세대까지, LPDDR은 5X로 7세대(1-2-3-4-4X-5-5X 순)까지 개발됐다.
SK하이닉스는 최근 LPDDR5X 단품 칩을 여러 개 결합해 만든 16GB(기가바이트)의 패키지를 시장에 출시했다. 패키지 제품의 데이터 처리속도는 초당 68GB로, FHD(풀HD)급 영화 13편을 1초에 처리하는 수준이다.
IT업계는 스마트폰 5G 시대에 접어들면서 초고속, 고용량, 저전력 등을 갖춘 고성능 모바일용 D램 수요가 늘어날 것으로 전망하고 있다. LPDDR5X의 활용 범위도 넓어질 걸로 기대된다.
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