SK하이닉스 "차세대 패키징 기술로 HBM 1등 지속"

SK하이닉스가 차세대 맞춤형 고대역폭메모리(HBM)을 위해 패키징 기술 개발에 속도를 내겠다고 밝혔다.

5일 SK하이닉스는 자사 뉴스룸에 이규제 PKG제품개발 담당 부사장의 인터뷰를 공개하며 이같이 전했다.

6세대 제품인 HBM4 16단부터는 어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술을 모두 검토해 고객 수요에 부합하는 최적의 방식을 쓰겠다는 계획이다.

D램 여러 개를 쌓아 만드는 HBM 특성상 적층 수가 많아질수록 방열, 휨 현상 등이 발생해 이를 해결할 수 있는 첨단 패키징 기술을 활용하겠다는 전략이다.

이 부사장은 "커스텀 HBM에 맞춰 차세대 패키징 기술을 개발하겠다"며 "방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 하이브리드 본딩 등 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라고 말했다.

특히 하이브리드 본딩 기술은 16단 이상 HBM 제품에서 필요성이 커지고 있다. 하이브리드 본딩은 칩을 적층할 때 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다. 이 기술을 활용하면 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해진다는 강점이 있다.

이 부사장은 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩의 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"며 "위아래 칩 간격이 좁아져 생기는 발열 문제는 여전히 해결해야 할 과제이지만, 점점 더 다양해지는 고객의 성능 요구를 충족시킬 설루션으로 기대를 모으고 있다"고 설명했다.

SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용한 HBM4 12단 제품을 내년 하반기에 출하하고, 오는 2026년 수요 발생 시점에 맞춰 HBM4 16단 제품 출시를 준비한다는 방침이다.