삼성, 세계최초 2세대 10나노급 D램 양산…기술 격차 2년 벌려(종합)
'2세대 나노 공정' 기반 8기가 DDR4 D램 공급 "생산성 30% 향상"
미세화 '퀀텀 점프'…D램 공정 10나노로 전면 전환
(서울=연합뉴스) 이승관 기자 = 삼성전자가 세계 최초로 10나노급 2세대 D램 양산에 돌입하며 '글로벌 메모리 최강자'의 지위를 재확인했다.
현재 PC제품 등에 상용화된 기존 D램과 비교했을 때 초미세화 공정을 통해 생산성을 높인 동시에 제품 속도는 높이고 소비전력은 획기적으로 낮춘 것으로, 이를 기반으로 서버·모바일·슈퍼컴퓨터 등에 탑재되는 차세대 D램 시장를 완전 장악한다는 전략이다.
특히 이번 양산으로 국내외 경쟁사들과 기술격차를 2년가량으로 벌리면서 독주체제를 공고화한 것으로 평가됐다.
삼성전자는 20일 "세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노는 10억분의 1ｍ) 8기가비트 DDR4 D램을 지난달부터 양산하고 있다"면서 "역대 최고 수준의 공정개발 난제를 극복한 것"이라고 밝혔다.
이번 '10나노급 2세대(1y 나노) D램' 생산은 지난해 2월 1세대(1x 나노) 양산을 선언하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 지 21개월만으로, 반도체 미세공정에서 또 한번의 '퀀텀 점프'를 이룬 것으로 받아들여진다.
특히 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 30% 가량 높일 수 있어 최근 급증하고 있는 글로벌 프리미엄 D램 수요에 대응할 수 있을 것으로 회사 측은 기대했다.
반도체의 원재료인 웨이퍼 하나에 기존 기술보다 30% 더 많은 칩을 생산할 수 있는 셈이다.
삼성전자는 지난 2012년 개발한 2y 나노(20나노급) 4기가 DDR3보다 용량과 속도, 소비전력 효율을 2배 높인 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해 일부 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 전환한다는 계획이다.
회사 관계자는 "이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 초고속ㆍ초절전ㆍ초소형 회로 설계와 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계, 2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다"면서 "기존 1세대 10나노급에 비해 속도는 10% 이상 높아졌고, 소비전력은 15% 이상 절감할 수 있다"고 설명했다.
이 관계자는 "1세대와 비교했을 때 설계와 공정이 획기적으로 달라진 것으로, 업계의 '게임체인저'가 될 것으로 기대한다"고 덧붙였다.
삼성전자는 이번에 개발한 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했다고 자평했다.
업계에서는 삼성전자가 지난해초 양산에 돌입한 10나노급 1세대 D램을 국내외 경쟁업체들이 최근에서야 본격 생산했다는 점을 감안하면 이번 기술 개발로 2년가량 앞서 나간 셈이라고 해석했다.
메모리사업부 진교영 사장은 "발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다"며, "향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 강화할 것"이라고 말했다.
[표] 삼성전자 최첨단 D램 양산 연혁
┌───────┬───────────────────┬─────────┐
│일시 │제품 │ 비고 │
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│1983년 12월 │64K D램 │첫 개발 제품 │
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│1992년 11월 │64메가 D램│이하 세계 최초│
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│2009년 7월│40나노급 2기가 DDR3 │ │
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│2010년 2월│40나노급 4기가 DDR3 │ │
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│2010년 7월│30나노급 2기가 DDR3 │ │
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│2011년 9월│20나노급(2x) 2기가 DDR3 │ │
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│2012년 11월 │20나노급(2y) 4기가 DDR3 │ │
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│2014년 2월│20나노(2z) 4기가 DDR3 │ │
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│2016년 2월│10나노급(1x) 8기가 DDR4 │ │
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│2016년 09월 │10나노급(1x) 16기가 LPDDR4/4X │ │
├───────┼───────────────────┼─────────┤
│2017년 11월 │10나노급(1y) 8기가 DDR4 양산 │ │
└───────┴───────────────────┴─────────┘
humane@yna.co.kr
(끝)
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'2세대 나노 공정' 기반 8기가 DDR4 D램 공급 "생산성 30% 향상"
미세화 '퀀텀 점프'…D램 공정 10나노로 전면 전환
(서울=연합뉴스) 이승관 기자 = 삼성전자가 세계 최초로 10나노급 2세대 D램 양산에 돌입하며 '글로벌 메모리 최강자'의 지위를 재확인했다.
현재 PC제품 등에 상용화된 기존 D램과 비교했을 때 초미세화 공정을 통해 생산성을 높인 동시에 제품 속도는 높이고 소비전력은 획기적으로 낮춘 것으로, 이를 기반으로 서버·모바일·슈퍼컴퓨터 등에 탑재되는 차세대 D램 시장를 완전 장악한다는 전략이다.
특히 이번 양산으로 국내외 경쟁사들과 기술격차를 2년가량으로 벌리면서 독주체제를 공고화한 것으로 평가됐다.
삼성전자는 20일 "세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노는 10억분의 1ｍ) 8기가비트 DDR4 D램을 지난달부터 양산하고 있다"면서 "역대 최고 수준의 공정개발 난제를 극복한 것"이라고 밝혔다.
이번 '10나노급 2세대(1y 나노) D램' 생산은 지난해 2월 1세대(1x 나노) 양산을 선언하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 지 21개월만으로, 반도체 미세공정에서 또 한번의 '퀀텀 점프'를 이룬 것으로 받아들여진다.
특히 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 30% 가량 높일 수 있어 최근 급증하고 있는 글로벌 프리미엄 D램 수요에 대응할 수 있을 것으로 회사 측은 기대했다.
반도체의 원재료인 웨이퍼 하나에 기존 기술보다 30% 더 많은 칩을 생산할 수 있는 셈이다.
삼성전자는 지난 2012년 개발한 2y 나노(20나노급) 4기가 DDR3보다 용량과 속도, 소비전력 효율을 2배 높인 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해 일부 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 전환한다는 계획이다.
회사 관계자는 "이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 초고속ㆍ초절전ㆍ초소형 회로 설계와 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계, 2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다"면서 "기존 1세대 10나노급에 비해 속도는 10% 이상 높아졌고, 소비전력은 15% 이상 절감할 수 있다"고 설명했다.
이 관계자는 "1세대와 비교했을 때 설계와 공정이 획기적으로 달라진 것으로, 업계의 '게임체인저'가 될 것으로 기대한다"고 덧붙였다.
삼성전자는 이번에 개발한 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했다고 자평했다.
업계에서는 삼성전자가 지난해초 양산에 돌입한 10나노급 1세대 D램을 국내외 경쟁업체들이 최근에서야 본격 생산했다는 점을 감안하면 이번 기술 개발로 2년가량 앞서 나간 셈이라고 해석했다.
메모리사업부 진교영 사장은 "발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다"며, "향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 강화할 것"이라고 말했다.
[표] 삼성전자 최첨단 D램 양산 연혁
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│1983년 12월 │64K D램 │첫 개발 제품 │
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│1992년 11월 │64메가 D램│이하 세계 최초│
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│2009년 7월│40나노급 2기가 DDR3 │ │
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│2010년 2월│40나노급 4기가 DDR3 │ │
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│2010년 7월│30나노급 2기가 DDR3 │ │
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│2011년 9월│20나노급(2x) 2기가 DDR3 │ │
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│2012년 11월 │20나노급(2y) 4기가 DDR3 │ │
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│2014년 2월│20나노(2z) 4기가 DDR3 │ │
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│2016년 09월 │10나노급(1x) 16기가 LPDDR4/4X │ │
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│2017년 11월 │10나노급(1y) 8기가 DDR4 양산 │ │
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