SK하이닉스 "작년 투자 10조3천억원…올해 더 증가할 것"

입력 2018-01-25 11:04  

SK하이닉스 "작년 투자 10조3천억원…올해 더 증가할 것"
"청주 M15 공장, 장비 입고 2∼3개월 앞당길 계획"

(서울=연합뉴스) 정성호 기자 = SK하이닉스가 지난해 설비투자에 10조3천억원을 집행한 것으로 나타났다.
SK하이닉스는 25일 진행한 '2017년 경영실적 발표 콘퍼런스콜'에서 이같이 밝히면서 "올해 투자 규모는 작년보다 증가할 것으로 예상한다"고 밝혔다.
SK하이닉스는 "제품 수요 및 시장 상황의 변경 등을 반영하기 위해 올해 투자 규모는 아직 확정하지 않았다"면서도 "청주 M15 공장 신규 건설, 중국 우시(無錫) 공장 확장을 위해 건설·인프라 투자가 집중되기 때문에 작년보다 증가할 것"이라고 설명했다.
SK하이닉스는 지난해 초 작년도 시설투자 규모를 9조6천억원으로 발표했으나 실제로는 이보다 7천억원가량 많은 10조3천억원을 투자한 것으로 나타났다. 이는 SK하이닉스가 집행한 설비투자로는 최대 규모다.
SK하이닉스는 M15 팹(fab)의 가동 시기와 관련해 "당초 올해 연말까지 완공하고 내년 초 장비를 입고할 계획이었는데 가능하면 두세달 입고 시기를 당겨보려 한다"며 "다만 실제 실행될지는 상반기 지나봐야 알 수 있다"고 설명했다.
우시 공장의 경우 예정대로 올 연말까지 공사를 완공할 계획이다.
현재 최첨단인 72단 3D(3차원) 낸드플래시의 생산과 관련해서는 "현재 72단 낸드는 수율이 안정화돼 가는 중"이라며 "현재 모바일 SSD(솔리드스테이트드라이브)용을 출하 중인데 2분기부터 본격적으로 판매를 확대해 하반기에는 주력 제품이 될 것"이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 작년 4분기 3D 낸드의 비중이 전체 낸드의 50%를 넘어섰고, 올해 하반기에는 전체 3D 가운데 72단 낸드의 비중이 50%를 넘어설 것으로 예상했다.
첨단 미세공정으로의 이전을 위해 필요한 차세대 장비로 알려진 EUV(극자외선) 노광장비의 도입 시기에 대해선 "2019년 이후 '1Z 나노' 공정 이후부터 활용할 계획"이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 올해 회사의 D램과 낸드플래시 출하량 전망에 대해 "D램은 올해 20% 수준으로 출하가 성장하고, 낸드는 시장 평균보다 높은 40% 중반의 출하 성장을 계획 중"이라고 밝혔다.
다만 "1분기 출하량은 전 분기(작년 4분기)보다 한 자릿수 초반 감소할 것으로 예상한다"고 덧붙였다.
또 낸드플래시 시장 수급 전망에 대해서는 "올해 전체 낸드 수요 증가율은 기업용 SSD, 스마트폰의 채용 등으로 약 40% 수준을 예상하고 있다"며 "하반기에는 신제품 출시 등에 기반을 둔 수요가 증가해 수급이 빡빡해질 것"이라고 예측했다.
고성능 D램인 HBM((고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory)2와 관련해 "우리도 작년 하반기부터 이 제품의 양산 공급을 시작했고 올해는 속도를 향상시킨 2세대 제품 개발해 하반기에는 양산을 시작할 예정"이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 또 2017년 배당은 그 전년과 견줘 주당 배당금을 67% 상향해 주당 1천원의 현금 배당을 하기로 결정했다고 밝혔다.
sisyphe@yna.co.kr
(끝)


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