삼성전자 평택 2라인 가동…극자외선 공정으로 모바일 D램 양산
업계 최초로 극자외선 적용 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램 생산
D램 시작으로 낸드·파운드리까지 생산 계획
(서울=연합뉴스) 김영신 기자 = 삼성전자[005930]가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인의 가동을 시작했다. 4차 산업혁명 시대에 '반도체 초격차' 달성을 위한 핵심적 역할을 할 예정이다.
삼성전자는 연 면적이 축구장 16개 크기(12만8900㎡)인 평택 2라인이 가동에 들어가 처음으로 D램 제품을 출하했다고 30일 밝혔다. 반도체 업계에서 최초로 EUV(극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 생산한다.
평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산할 예정이다.
삼성전자는 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위해 평택 2라인에 지난 5월 파운드리 생산라인을 착공했다. 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하는 낸드플래시 생산라인을 착공했다. 두 라인은 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다.
평택 2라인은 삼성전자가 2018년 8월 발표한 '180조원 투자·4만명 고용' 계획에 따라 건설됐다.
평택 1라인에 이어 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자를 집행한다. 직접 고용 인력은 약 4천명, 협력사 인력과 건설 인력까지 포함하면 3만명 이상의 고용을 창출할 것으로 삼성전자는 기대했다.
평택 1라인은 2015년부터 289만㎡ 부지로 조성돼 2017년 6월 양산을 시작했다. 삼성전자 측은 "평택캠퍼스에 대한 적극적인 투자로 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나가겠다"고 말했다.
평택 2라인에서 이번에 출하한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용됐다. 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이라고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자는 올해 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다.
이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5·5천500Mb/s)보다 16% 빠른 6천400Mb/s의 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB를 처리할 수 있다.
또한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 12Gb 칩 8개와 8Gb 칩 4개를 더한 기존 제품보다 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다.
이를 통해 멀티카메라, 5세대 이동통신(5G) 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰과 같은 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.
삼성전자는 업계에서 유일하게 글로벌 스마트폰 업체들에 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 제공, 내년 출시되는 AI기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점한다는 계획이다. 또한 고온 신뢰성을 확보해 전장용 제품으로까지 사용처를 확대할 예정이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "이번 제품은 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시했다"며 "프리미엄 D램 라인업을 계속 확대해 고객 요구에 더 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여하겠다"고 말했다.
업계에서는 삼성전자가 최초로 EUV 기술을 적용한 차세대 모바일 D램 양산에 성공한 것에 대해 이재용 부회장의 강력한 기술 육성 의지가 뒷받침했다는 평가도 나온다.
shiny@yna.co.kr
(끝)
<저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포 금지>
업계 최초로 극자외선 적용 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램 생산
D램 시작으로 낸드·파운드리까지 생산 계획
(서울=연합뉴스) 김영신 기자 = 삼성전자[005930]가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인의 가동을 시작했다. 4차 산업혁명 시대에 '반도체 초격차' 달성을 위한 핵심적 역할을 할 예정이다.
삼성전자는 연 면적이 축구장 16개 크기(12만8900㎡)인 평택 2라인이 가동에 들어가 처음으로 D램 제품을 출하했다고 30일 밝혔다. 반도체 업계에서 최초로 EUV(극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 생산한다.
평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산할 예정이다.
삼성전자는 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위해 평택 2라인에 지난 5월 파운드리 생산라인을 착공했다. 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하는 낸드플래시 생산라인을 착공했다. 두 라인은 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다.
평택 2라인은 삼성전자가 2018년 8월 발표한 '180조원 투자·4만명 고용' 계획에 따라 건설됐다.
평택 1라인에 이어 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자를 집행한다. 직접 고용 인력은 약 4천명, 협력사 인력과 건설 인력까지 포함하면 3만명 이상의 고용을 창출할 것으로 삼성전자는 기대했다.
평택 1라인은 2015년부터 289만㎡ 부지로 조성돼 2017년 6월 양산을 시작했다. 삼성전자 측은 "평택캠퍼스에 대한 적극적인 투자로 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나가겠다"고 말했다.
평택 2라인에서 이번에 출하한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용됐다. 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이라고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자는 올해 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다.
이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5·5천500Mb/s)보다 16% 빠른 6천400Mb/s의 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB를 처리할 수 있다.
또한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 12Gb 칩 8개와 8Gb 칩 4개를 더한 기존 제품보다 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다.
이를 통해 멀티카메라, 5세대 이동통신(5G) 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰과 같은 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.
삼성전자는 업계에서 유일하게 글로벌 스마트폰 업체들에 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 제공, 내년 출시되는 AI기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점한다는 계획이다. 또한 고온 신뢰성을 확보해 전장용 제품으로까지 사용처를 확대할 예정이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "이번 제품은 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시했다"며 "프리미엄 D램 라인업을 계속 확대해 고객 요구에 더 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여하겠다"고 말했다.
업계에서는 삼성전자가 최초로 EUV 기술을 적용한 차세대 모바일 D램 양산에 성공한 것에 대해 이재용 부회장의 강력한 기술 육성 의지가 뒷받침했다는 평가도 나온다.
shiny@yna.co.kr
(끝)
<저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포 금지>
관련뉴스
