삼성전자 "내년 HBM 공급 올해 2.5배 이상…고객사와 협의 완료"
3분기 실적 콘퍼런스콜…HBM3E도 내년 상반기 양산 시작
"D램·낸드 재고 5월 정점 이후 감소 중"…D램 대비 낸드 감산폭 더 커
(서울=연합뉴스) 장하나 김아람 기자 = 삼성전자가 최근 생성형 인공지능(AI) 확산으로 급부상한 고대역폭 메모리(HBM)와 관련, 내년 HBM 생산 능력을 올해보다 2.5배 이상 늘리겠다는 계획을 내놨다.
김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 3분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "이미 주요 고객사와 해당 물량에 대한 공급 협의를 완료한 상황"이라며 이같이 밝혔다.
김 부사장은 "HBM3는 3분기에 이미 양산 공급을 시작했고, 4분기에는 고객사 확대를 통해 판매를 본격화하고 있다"며 "HBM3 비중은 지속적으로 증가해 내년 상반기 내 HBM 전체 판매 물량의 과반을 넘어설 것으로 예상한다"고 말했다.
다음 세대인 HBM3E도 24기가바이트(GB) 샘플 공급을 시작해 내년 상반기 내 양산을 시작할 예정이며, 36GB 제품은 내년 1분기 샘플을 공급할 예정이다.
HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다.
삼성전자는 지난 20일 미국 실리콘밸리에서 열린 '메모리 테크 데이' 행사에서 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트'를 처음 선보인 바 있다.
김 부사장은 "내년 하반기에는 HBM3E로의 급격한 전환을 통해 더욱 높아지는 AI 시장의 요구에 적극 대응할 계획"이라며 "앞으로도 HBM 선두업체로 제품 경쟁력과 안정적인 공급력 등을 기반으로 HBM 시장 리더십을 강화하겠다"고 말했다.
메모리 시장 회복세는 감산 효과 등으로 속도를 낼 것으로 봤다.
김 부사장은 "메모리 업황 저점에 대한 인식이 확산하면서 부품 재고를 확보하기 위한 고객사 문의가 다소 접수됐다"며 "재고 수준은 D램과 낸드 모두 5월 피크 아웃(정점) 이후 지속적으로 감소 중"이라고 설명했다.
4분기에는 수요 개선과 생산량 하향 조정으로 더 빠르게 재고가 감소할 것으로 예상했다.
김 부사장은 "빠른 시간 내 재고 정상화를 구현하기 위해 추가 선별적인 생산 조정 등 필요한 조치를 지속적으로 실행할 예정"이라며 "특히 D램 대비 낸드의 생산 하향 조정폭은 당분간 상대적으로 더 크게 운영될 것으로 예상한다"고 말했다.
이어 "생성형 AI, 온디바이스 AI용에 필수적인 선단 제품 수요는 빠르게 증가하고 있다"며 "중장기적인 경쟁력 확보 차원에서 유지해온 시설투자(캐펙스·CAPEX) 기반으로 1a, 1b 나노 등 선단 공정은 생산 하향 조정 없이 공급 비중을 지속적으로 확대할 것"이라고 말했다.
한편, 삼성전자는 3분기 D램 비트그로스(bit growth·비트 단위로 환산한 생산량 증가율)는 10% 성장했고, 평균판매단가(ASP)는 한 자릿수 중반 증가했다고 밝혔다. 4분기 시장 수요 비트그로스는 10% 수준으로 증가할 것으로 예상했다.
낸드의 경우 3분기 비트그로스는 한 자릿수 초반 감소했지만, ASP는 한 자릿수 초반으로 증가했다.
3분기 스마트폰 판매량은 5천900만대, 태블릿은 600만대였다. 4분기에는 스마트폰 판매량이 전 분기 대비 감소할 전망이다.
hanajjang@yna.co.kr
(끝)
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3분기 실적 콘퍼런스콜…HBM3E도 내년 상반기 양산 시작
"D램·낸드 재고 5월 정점 이후 감소 중"…D램 대비 낸드 감산폭 더 커
(서울=연합뉴스) 장하나 김아람 기자 = 삼성전자가 최근 생성형 인공지능(AI) 확산으로 급부상한 고대역폭 메모리(HBM)와 관련, 내년 HBM 생산 능력을 올해보다 2.5배 이상 늘리겠다는 계획을 내놨다.
김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 3분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "이미 주요 고객사와 해당 물량에 대한 공급 협의를 완료한 상황"이라며 이같이 밝혔다.
김 부사장은 "HBM3는 3분기에 이미 양산 공급을 시작했고, 4분기에는 고객사 확대를 통해 판매를 본격화하고 있다"며 "HBM3 비중은 지속적으로 증가해 내년 상반기 내 HBM 전체 판매 물량의 과반을 넘어설 것으로 예상한다"고 말했다.
다음 세대인 HBM3E도 24기가바이트(GB) 샘플 공급을 시작해 내년 상반기 내 양산을 시작할 예정이며, 36GB 제품은 내년 1분기 샘플을 공급할 예정이다.
HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다.
삼성전자는 지난 20일 미국 실리콘밸리에서 열린 '메모리 테크 데이' 행사에서 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트'를 처음 선보인 바 있다.
김 부사장은 "내년 하반기에는 HBM3E로의 급격한 전환을 통해 더욱 높아지는 AI 시장의 요구에 적극 대응할 계획"이라며 "앞으로도 HBM 선두업체로 제품 경쟁력과 안정적인 공급력 등을 기반으로 HBM 시장 리더십을 강화하겠다"고 말했다.
메모리 시장 회복세는 감산 효과 등으로 속도를 낼 것으로 봤다.
김 부사장은 "메모리 업황 저점에 대한 인식이 확산하면서 부품 재고를 확보하기 위한 고객사 문의가 다소 접수됐다"며 "재고 수준은 D램과 낸드 모두 5월 피크 아웃(정점) 이후 지속적으로 감소 중"이라고 설명했다.
4분기에는 수요 개선과 생산량 하향 조정으로 더 빠르게 재고가 감소할 것으로 예상했다.
김 부사장은 "빠른 시간 내 재고 정상화를 구현하기 위해 추가 선별적인 생산 조정 등 필요한 조치를 지속적으로 실행할 예정"이라며 "특히 D램 대비 낸드의 생산 하향 조정폭은 당분간 상대적으로 더 크게 운영될 것으로 예상한다"고 말했다.
이어 "생성형 AI, 온디바이스 AI용에 필수적인 선단 제품 수요는 빠르게 증가하고 있다"며 "중장기적인 경쟁력 확보 차원에서 유지해온 시설투자(캐펙스·CAPEX) 기반으로 1a, 1b 나노 등 선단 공정은 생산 하향 조정 없이 공급 비중을 지속적으로 확대할 것"이라고 말했다.
한편, 삼성전자는 3분기 D램 비트그로스(bit growth·비트 단위로 환산한 생산량 증가율)는 10% 성장했고, 평균판매단가(ASP)는 한 자릿수 중반 증가했다고 밝혔다. 4분기 시장 수요 비트그로스는 10% 수준으로 증가할 것으로 예상했다.
낸드의 경우 3분기 비트그로스는 한 자릿수 초반 감소했지만, ASP는 한 자릿수 초반으로 증가했다.
3분기 스마트폰 판매량은 5천900만대, 태블릿은 600만대였다. 4분기에는 스마트폰 판매량이 전 분기 대비 감소할 전망이다.
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