SK하이닉스, 美인디애나에 차세대 HBM공장 짓는다…5.2조원 투자(종합2보)
첨단 후공정 분야 투자협약 체결…2028년 하반기 양산 목표
퍼듀대와 반도체 연구·개발도…주정부서 최대 9천200억원 인센티브 받을 듯
(서울 워싱턴=연합뉴스) 장하나 기자·조준형 특파원 = SK하이닉스[000660]가 5조2천억원을 투자해 미국 인디애나주에 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산 기지를 짓는다.
2028년 하반기 양산이 목표로, SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 핵심인 HBM의 생산 공장을 해외에 짓는 것은 이번이 처음이다.
이번 투자로 SK하이닉스는 인디애나 주정부로부터 최대 9천200억원 규모의 인센티브를 받을 전망이다.
SK하이닉스는 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 4일 밝혔다.
미국에 AI용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 짓는 것은 반도체 업계 최초다.
SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다.
SK하이닉스는 이 사업에 38억7천만달러(약 5조2천억원)를 투자할 계획이다.
이날 행사에는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 상원의원, 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 상무부 차관보, 멍 치앙 퍼듀대 총장 등 미국 측 인사와 조현동 주미 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. SK에서는 유정준 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등 경영진이 참석했다.
SK하이닉스는 인디애나 공장에서 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다.
SK하이닉스 측은 "이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라며 "인디애나에 건설하는 생산기지와 연구개발(R&D) 시설을 바탕으로 현지에서 1천개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 밝혔다.
현재 SK하이닉스는 HBM 시장 점유율 1위를 차지하고 있다. HBM 4세대인 HBM3를 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 사실상 독점 공급하고 있으며, 5세대인 HBM3E도 지난달 말부터 고객사 공급을 시작한다고 밝힌 바 있다.
AI 시장 확대로 HBM 등 초고성능 메모리 수요가 급증하고 어드밴스드 패키징의 중요성이 커지는 가운데 SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 부지를 물색해 왔다.
그간 다양한 후보지를 검토했으나, 인디애나 주정부가 투자 유치에 적극 나선 데다 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부해 인디애나주를 최종 투자지로 선정했다. 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 영향을 미쳤다고 SK하이닉스는 전했다.
미국 정부에 반도체 생산 보조금 신청서도 이미 제출한 것으로 알려졌다.
조 바이든 행정부는 2022년 반도체 지원법을 제정, 자국에 반도체 공장을 짓는 기업에 생산 보조금 총 390억달러(약 52조2천억원), 연구개발(R&D) 지원금으로 총 132억달러(약 17조7천억원) 등 5년간 총 527억달러(약 70조5천억원)를 지원하기로 했다.
170억달러를 투자해 텍사스주 테일러에 신규 공장을 짓고 있는 삼성전자의 경우 60억달러(약 7조9천억원) 이상의 보조금을 받을 것이라는 블룸버그통신 보도가 나오기도 했다.
이와 별개로 SK하이닉스는 이번 공장 건설로 인디애나 주정부로부터 최대 약 9천200억원 규모의 인센티브를 받을 것으로 보인다.
인디애나주에 따르면 주정부는 SK하이닉스에 인센티브 기반 교육 보조금 최대 300만달러, 제조 준비 보조금 최대 300만달러, 인프라 개선 보조금 최대 4천500만달러, 조건부 성과 지급 인센티브 최대 8천만달러 등을 약속했다.
여기에 최대 5억5천470만달러의 혁신 개발지구 세금 환급 혜택까지 감안하면 최대 6억8천570만달러(약 9천240억원) 규모를 받는 셈이다.
에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다.
토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 전했다.
또 프라바카 백악관 과학기술정책실장(장관급)은 SK하이닉스 같은 기업들의 투자가 양질의 고용을 창출하고, 글로벌 공급망을 강화해 나가고 있다고 말했다고 주미한국대사관은 전했다.
멍 치앙 퍼듀대 총장은 "SK하이닉스는 AI용 메모리 분야의 글로벌 개척자이자 지배적인 시장 리더"라며 "이 혁신적인 투자는 인디애나주와 퍼듀대가 가진 첨단 반도체 분야 경쟁력을 보여주면서 미국 내 디지털 공급망을 완성하는 기념비적인 일"이라고 말했다.
곽노정 SK하이닉스 사장은 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다"라며 "이번 투자를 통해 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다.
조현동 대사는 "한미동맹을 통해 오늘날 한미 양국이 견고한 경제협력을 이루게 됐다"며 "이번 투자 및 첨단 패키지 R&D 협력을 통해 한미 양국 모두 중요한 첨단기술 역량을 증진해나갈 수 있기를 바란다"고 밝혔다.
SK하이닉스는 인디애나주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하는 한편 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체, 자선단체의 활동도 지원할 예정이다.
한편, SK하이닉스는 기존에 계획된 국내 투자도 차질 없이 추진한다.
SK하이닉스가 120조원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창이다. SK하이닉스는 이곳에 내년 3월 첫 팹(fab·반도체 생산시설)을 착공해 2027년 초 완공할 예정이다.
아울러 소부장(소재·부품·장비) 생태계를 강화하기 위해 소부장 중소기업의 기술개발과 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'(반도체 소재·부품·장비 등을 실증하기 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설)도 건설할 계획이다.
hanajjang@yna.co.kr
(끝)
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첨단 후공정 분야 투자협약 체결…2028년 하반기 양산 목표
퍼듀대와 반도체 연구·개발도…주정부서 최대 9천200억원 인센티브 받을 듯
(서울 워싱턴=연합뉴스) 장하나 기자·조준형 특파원 = SK하이닉스[000660]가 5조2천억원을 투자해 미국 인디애나주에 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산 기지를 짓는다.
2028년 하반기 양산이 목표로, SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 핵심인 HBM의 생산 공장을 해외에 짓는 것은 이번이 처음이다.
이번 투자로 SK하이닉스는 인디애나 주정부로부터 최대 9천200억원 규모의 인센티브를 받을 전망이다.
SK하이닉스는 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 4일 밝혔다.
미국에 AI용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 짓는 것은 반도체 업계 최초다.
SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다.
SK하이닉스는 이 사업에 38억7천만달러(약 5조2천억원)를 투자할 계획이다.
이날 행사에는 에릭 홀콤 인디애나 주지사, 토드 영 상원의원, 아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장, 아룬 벤카타라만 상무부 차관보, 멍 치앙 퍼듀대 총장 등 미국 측 인사와 조현동 주미 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. SK에서는 유정준 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등 경영진이 참석했다.
SK하이닉스는 인디애나 공장에서 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다.
SK하이닉스 측은 "이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라며 "인디애나에 건설하는 생산기지와 연구개발(R&D) 시설을 바탕으로 현지에서 1천개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 밝혔다.
현재 SK하이닉스는 HBM 시장 점유율 1위를 차지하고 있다. HBM 4세대인 HBM3를 AI 칩 선두 주자인 엔비디아에 사실상 독점 공급하고 있으며, 5세대인 HBM3E도 지난달 말부터 고객사 공급을 시작한다고 밝힌 바 있다.
AI 시장 확대로 HBM 등 초고성능 메모리 수요가 급증하고 어드밴스드 패키징의 중요성이 커지는 가운데 SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 부지를 물색해 왔다.
그간 다양한 후보지를 검토했으나, 인디애나 주정부가 투자 유치에 적극 나선 데다 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부해 인디애나주를 최종 투자지로 선정했다. 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 영향을 미쳤다고 SK하이닉스는 전했다.
미국 정부에 반도체 생산 보조금 신청서도 이미 제출한 것으로 알려졌다.
조 바이든 행정부는 2022년 반도체 지원법을 제정, 자국에 반도체 공장을 짓는 기업에 생산 보조금 총 390억달러(약 52조2천억원), 연구개발(R&D) 지원금으로 총 132억달러(약 17조7천억원) 등 5년간 총 527억달러(약 70조5천억원)를 지원하기로 했다.
170억달러를 투자해 텍사스주 테일러에 신규 공장을 짓고 있는 삼성전자의 경우 60억달러(약 7조9천억원) 이상의 보조금을 받을 것이라는 블룸버그통신 보도가 나오기도 했다.
이와 별개로 SK하이닉스는 이번 공장 건설로 인디애나 주정부로부터 최대 약 9천200억원 규모의 인센티브를 받을 것으로 보인다.
인디애나주에 따르면 주정부는 SK하이닉스에 인센티브 기반 교육 보조금 최대 300만달러, 제조 준비 보조금 최대 300만달러, 인프라 개선 보조금 최대 4천500만달러, 조건부 성과 지급 인센티브 최대 8천만달러 등을 약속했다.
여기에 최대 5억5천470만달러의 혁신 개발지구 세금 환급 혜택까지 감안하면 최대 6억8천570만달러(약 9천240억원) 규모를 받는 셈이다.
에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다.
토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 전했다.
또 프라바카 백악관 과학기술정책실장(장관급)은 SK하이닉스 같은 기업들의 투자가 양질의 고용을 창출하고, 글로벌 공급망을 강화해 나가고 있다고 말했다고 주미한국대사관은 전했다.
멍 치앙 퍼듀대 총장은 "SK하이닉스는 AI용 메모리 분야의 글로벌 개척자이자 지배적인 시장 리더"라며 "이 혁신적인 투자는 인디애나주와 퍼듀대가 가진 첨단 반도체 분야 경쟁력을 보여주면서 미국 내 디지털 공급망을 완성하는 기념비적인 일"이라고 말했다.
곽노정 SK하이닉스 사장은 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다"라며 "이번 투자를 통해 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 말했다.
조현동 대사는 "한미동맹을 통해 오늘날 한미 양국이 견고한 경제협력을 이루게 됐다"며 "이번 투자 및 첨단 패키지 R&D 협력을 통해 한미 양국 모두 중요한 첨단기술 역량을 증진해나갈 수 있기를 바란다"고 밝혔다.
SK하이닉스는 인디애나주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하는 한편 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체, 자선단체의 활동도 지원할 예정이다.
한편, SK하이닉스는 기존에 계획된 국내 투자도 차질 없이 추진한다.
SK하이닉스가 120조원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창이다. SK하이닉스는 이곳에 내년 3월 첫 팹(fab·반도체 생산시설)을 착공해 2027년 초 완공할 예정이다.
아울러 소부장(소재·부품·장비) 생태계를 강화하기 위해 소부장 중소기업의 기술개발과 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'(반도체 소재·부품·장비 등을 실증하기 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설)도 건설할 계획이다.
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