삼성전자, 차세대 서버D램 '20나노급 DDR4' 양산

입력 2013-08-30 10:58  



삼성전자는 기업용 서버에 탑재되는 최고 속도의 '20나노급 DDR4' D램 모듈을 본격 양산한다고 30일 발표했다.

이번에 양산되는 제품은 2008년 나온 '50나노급 DDR3' D램 이후 5년만에 서버 메모리 시장을 전환하는 것으로, 세계에서 가장 작은 칩 크기에 초당 데이터 처리속도는 2,667Mb/s 까지 구현한다.

이는 20나노급 DDR3 D램보다 소비전력을 30% 이상 줄이면서도 1.25배 빠른 속도를 내는 것이다.

삼성전자는 16GB 모듈을 우선 판매하고, 내년에는 두 배 용량의 32GB 모듈을 본격적으로 공급할 계획이다.

이렇게 되면 현재 30나노급 8GB DDR3 모듈이 주를 이루는 서버시장은 고성능 저전력 대용량의 DDR4 시장으로 빠르게 전환될 것으로 보고 있다.

전영현 메모리사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 "초고속 DDR4 모듈을 하반기부터 서버에 탑재, 프리미엄 메모리 시장 수요를 창출해 나갈 것"이라며 "글로벌 고객들이 전력소모는 낮추면서도 성능을 높일 수 있는 그린 IT 시장을 키우는데 기여할 것"이라고 말했다.

컴퓨터 정보기억소자 중 하나인 D램은 모바일, PC, 서버, 그래픽, 가전 등에 두루 쓰인다. 시장조사기관 가트너에 따르면 전체 D램 중 서버용 비중은 내년 22%까지 늘어날 것으로 예상된다.

한경닷컴 권민경 기자 kyoung@hankyung.com





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