SK하이닉스는 20나노급 8기가비트(Gb) DDR4 기반 최대용량 128기가바이트(GB) 모듈을 개발했다고 7일 발표했다. 양산은 내년 상반기에 시작된다.
홍성주 SK하이닉스 D램개발본부장(전무)은 “세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발해 초고용량 서버 시장을 열었다”며 “고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속적으로 개발해 서버용 D램 시장을 주도하겠다”고 말했다.
회사 측은 첨단 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 용량과 속도, 소비전력 등을 개선했다고 설명했다. 이 기술은 두 개 이상의 칩을 수직 관통하는 실리콘 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 패키징 방식이다. 데이터 처리 성능을 높이면서 크기를 줄일 수 있다.
이에 따라 기존 서버용 제품이 DDR3 기반으로 최대 64GB 용량 모듈인 데 비해 이 제품은 두 배인 128GB를 구현했다. 속도는 DDR3의 데이터 전송속도인 1333Mbps보다 빠른 2133Mbps에 달한다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.
김현석 기자 realist@hankyung.com
관련뉴스