삼성전자가 9일 중국 산시성 시안시에서 현지 메모리 반도체 공장 건립을 마무리하고 본격 가동에 들어갔다.
이날 공장 준공식에는 중국 산시성의 자오정융 당서기, 러우친젠 성장, 먀오웨이 중국 공업정보화부 부장, 권영세 주중 한국대사, 전재원 주시안 총영사, 권오현 대표를 비롯한 회사 경영진이 참석했다.
2012년 9월 첫 삽을 뜬 시안의 메모리 반도체 공장은 총 70억 달러(약 7조 5243억 원)를 들여 20개월간의 공사를 거쳐 완성했다.
총 115만㎡ 부지에 연면적 23만㎡ 규모로 건설된 이 공장은 한국에서 성능과 양산성이 확인된 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 두 번째로 생산한다.
이 공장은 미국 오스틴 공장에 이어 삼성전자가 두 번째로 추진하는 해외 반도체 생산 라인이기도 하다. 중국인 1300여명을 비롯해 2000여명의 직원이 근무하게 된다.
한경닷컴 산업경제팀 open@hankyung.com
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