SK하이닉스-도시바, 반도체 '한계돌파' 기술 선보인다

2017년 메모리 미세 공정 개선 기술 실제 제품에 적용 예정



[ 김민성 기자 ] SK하이닉스는 일본의 도시바와 나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography, 이하 NIL) 기술에 대한 공동 개발 본 계약을 체결했다고 5일 밝혔다.

2년 연속 사상 최대 실적을 올린 SK하이닉스가 반도체 미세 공정 한계를 한 단계 더 극복하는 기술로 성장세를 지속할 수 있을지 주목된다.

그간 반도체 업계는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 활용 등 다양한 노력을 해왔다. NIL 기술도 한계 극복 방안 중 하나로 주목받고 있다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술이다. 막대한 투자가 선행되어야 하는 기존 공정기술과 비교해 경제적 양산이 가능하다는 게 장점이다.

양사는 지난 12월 양해각서(MOU)를 체결한 데 이어 이날 본 계약 체결로 실제 개발에 착수하게 된다.

NIL 기술에 대한 공동 개발은 올해 4월부터 양사 엔지니어이 도시바의 요코하마팹에 모여 진행한다. 2017년 제품에 실제 적용될 예정이다.

SK하이닉스 관계자는 "이번 협력으로 양사는 공정 미세화 한계에 대응하기 위한 새 기술을 확보할 수 있다"며 "메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대된다"고 밝혔다.

SK하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지하고 있다. 2007년에는 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터는 차세대 메모리인 ‘STT-M램’의 공동개발을 진행해 오고 있다.

한경닷컴 김민성 기자 mean@hankyung.com @mean_Ray



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