삼성, 세계 최초 4GB HBM2 D램 양산…7배 빨라진 초고속메모리

4GB HBM2 D램, 현존 속도보다 7배 빨라
삼성, HBM 라인업 확대…상반기 8GB HBM2 D램도 양산



삼성전자가 세계 최초로 4기가바이트(GB) HBM(고대역폭메모리)2 D램을 본격 양산한다고 19일 밝혔다.

이번에 양산하는 4GB HBM2 D램은 초당 256GB의 데이터를 전송해 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠르다. 지금까지 개발된 D램 중 가장 빠른 제품은 4기가비트(Gb) GDDR5로 속도는 9Gbps(초당 기가비트)이었다.

4GB HBM2 D램은 와트(W)당 데이터 전송량를 2배 높여 전력 소모도 크게 줄였다.

앞서 삼성전자는 지난해 10월 128GB DDR4 D램 모듈 양산에 성공하며 초고속 메모리 시장을 확대했다. 이후 2개월 만에 2세대 HBM D램 양산이라는 성과를 이뤄냈다.

이번 4GB HBM2 D램은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8Gb HBM2 D램 4개로 이뤄졌다. 1개의 버퍼칩 위에 4개의 코어칩을 적층하고 각 칩을 TSV(실리콘관통전극) 접합볼(범프)로 연결한 구조다.

8Gb HBM2 D램 칩은 높은 대역폭으로 속도를 향상 시킬 수 있도록 기존 8Gb TSV DDR4보다 36배 이상 많은 5000여개의 구멍을 뚫는 고난이도 TSV 기술을 적용했다.

TSV기술을 적용한 적층 형태의 HBM2 D램은 그래픽카드에서 D램이 차지하는 공간을 대폭 줄일 수 있는 게 특징이다. 평면상에 D램을 배열해야 하는 GDDR5 대비 D램 실장면적을 95% 이상 줄일 수 있다는 설명이다.

예를들어 8GB 그래픽카드에 8Gb GDDR5를 탑재할 경우 8개의 칩을 평면상에 넓게 배열해야 하지만 4GB HBM2 D램은 단 두개의 칩만으로도 구성이 가능하다.

삼성전자는 올 상반기에 용량을 2배 올린 8GB HBM2 D램도 양산한다는 계획이다.

전세원 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전무는 "차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 정보기술(IT)기업들이 초고성능 차세대 초고성능 컴퓨팅시스템(HPC)을 적기에 도입하게 됐다"며 "앞으로도 3차원 메모리 기술을 기반으로 글로벌 IT시장 변화에 한발 앞서 대응하고 새로운 성장 기반을 지속 확보해 나갈 것"이라고 말했다.

박희진 한경닷컴 기자 hotimpact@hankyung.com
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