삼성, 서버용 메모리 '박차'…인텔 진입 견제

SAP와 '인메모리' 개발 손잡아
인텔 새 메모리 연말 출시 대응


[ 김현석 기자 ] 급성장 중인 서버용 메모리 시장을 둘러싼 삼성전자와 인텔의 전쟁이 격화되고 있다. 연말께 나올 인텔의 뉴메모리 ‘3D 크로스포인트’ 출시를 앞두고 삼성이 D램을 이용한 ‘인메모리’ 등 신형 메모리 솔루션 개발에 나섰다.

삼성전자와 기업용 솔루션기업인 SAP는 29일 경기 화성시 삼성전자 부품연구동에서 인메모리 개발을 위한 공동 리서치센터를 구성했다. 전영현 메모리사업부장(사장·왼쪽)과 어데어 폭스마틴 SAP 아시아태평양 회장이 참석했다.

인메모리는 서버에서 중앙처리장치(CPU)의 연산을 뒷받침하는 메인 메모리(주기억장치)에 초대용량 D램을 넣어 처리 속도를 크게 높이는 기술이다. 속도는 빠르지만 전원이 꺼지면 기억이 사라지는 D램은 통상 CPU가 연산할 때 잠시 정보를 저장하는 역할만 해왔다. 데이터를 오래 저장하는 건 낸드플래시 기반의 솔리드스테이트드라이브(SSD)다.

이 제품은 서버에는 전원 공급이 끊이지 않는 걸 이용해 D램 모듈을 25테라바이트(TB)까지 쌓아 메인 메모리뿐 아니라 주력 저장장치 역할까지 맡는다. 이렇게 되면 낸드플래?SSD에 비해 값은 비싸도 속도는 매우 빠르다. 최고급 서버용에 사용할 수 있는 솔루션이다. 삼성전자는 50TB까지 용량을 높일 계획이다.

이는 인텔이 연말부터 3D 크로스포인트를 앞세워 서버용 메모리 시장에 진입하려는 데 대한 대응책이다. 크로스포인트로 제작한 SSD는 낸드로 만든 SSD보다 10배가량 빠르지만 D램보다는 느리다.

삼성전자는 내년 Z-SSD라는 제품도 내놓는다. 3D 낸드와 D램, 컨트롤러를 결합해 NVMe SSD 대비 응답시간은 4배, 연속읽기 속도는 1.6배 빠른 제품이다. 전 사장은 “기술 리더십을 강화해 초고용량 메모리 시대를 주도해 나가겠다”고 말했다.

김현석 기자 realist@hankyung.com



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