삼성전자, 글로벌 반도체 시설투자 '21%' 견인…"압도적 선두"

전체 투자액 1000억달러 돌파
SK하이닉스 58% 급증 3위



삼성전자가 지난해에 이어 올해도 압도적인 규모의 반도체 시설투자를 진행한 것으로 나타났다. 올해 전 세계 반도체 업계의 시설투자액은 처음으로 1000억달러(약 112조원)을 넘어설 전망이다.

30일 글로벌 시장조사업체인 IC인사이츠에 따르면 올해 글로벌 반도체 업체들의 시설투자 규모는 1071억4000만달러로 추산된다. 역대 최고치였던 지난해(934억7700만달러)보다 15% 늘어난 규모다.

삼성전자가 226억2000만달러로 전체 시설투자에서 21.1%의 비중을 차지하며 선두자리를 지켰다. 지난해(242억3200만달러)보다는 7% 줄었으나 역대 최고 수준을 유지하면서 경쟁업체인 미국 인텔을 밀어냈다.

인텔은 작년보다 32% 늘어난 155억달러로 2위에 올랐고 SK하이닉스(128억달러), 대만 TSMC(102억5000만달러), 미국 마이크론(99억6000만달러) 등이 뒤를 따랐다. SK하이닉스는 지난해(80억9100만달러)보다 58%가 늘어난 설비투자로 TSMC를 제치고 3위에 올라섰다.

IC인사이츠는 삼성전자의 대규모 투자가 장기적으로 시장에 영향을 줄 것으로 예상했다. 3D 낸드플래시 시장에 대해서는 이미 과잉설비 국면이 시작됐다고 우려했다. 삼성전자를 너어 모든 업체들이 설비투자 경쟁에 가세하고 있기 때문이다.

보고서는 메모리 반도체 시장의 성장세가 주춤하면서 내년에는 메이저 업체들이 설비투자의 속도를 조절할 것으로 예상했다. 삼성전자는 올해보다 20% 줄인 180억달러, 인텔과 하이닉스도 13~22% 감축하면서 전체 업계 투자액은 1000억달러를 밑돌 것으로 전망했다.

윤진우 한경닷컴 기자 jiinwoo@hankyung.com
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