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SK하이닉스 "HBM3E 12단 3분기 양산…내년 생산 HBM도 솔드아웃" 2024-05-02 12:07:28
P&T 담당 부사장은 "MR-MUF 기술이 고단 적층에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만, 실제로는 그렇지 않다"며 "어드밴스드 MR-MUF 기술로 이미 HBM3 12단 제품을 양산하고 있고 칩의 휨 현상 제어에도 탁월한 고온·저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 설루션"이라고 설명했다. MU-MUF 기술은 과거 공정 대비 칩...
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'IT 불황' 전자부품업계, 고부가 제품이 부진 탈출 이끈다 2024-04-29 14:57:55
올해 IT 시장이 점차 회복할 것으로 보고 IT용 고부가 적층세라믹캐패시터(MLCC) 및 패키지 기판, 인공지능(AI) 관련 제품 등 고부가·고성능 부품 확대에 나섰다. 이에 1분기에 AI 서버 등 산업·전장용 고부가 MLCC 판매가 증가하고, 플래그십 스마트폰 출시 효과로 폴디드 줌 등 고성능 카메라 모듈 공급이 늘면서 실적...
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삼성, 메모리 초격차 굳힌다…286단 V낸드 세계 첫 양산 2024-04-23 18:41:57
이유다. 눈에 띄는 것은 더블 스택 적층 기술을 활용했다는 점이다. 더블의 의미는 쌓아 올린 저장공간인 셀을 전기적으로 연결하는 ‘채널 홀’을 두 번 뚫는다는 뜻이다. 채널 홀을 적게 뚫을수록 생산성이 높아진다. 한동안 업계에서는 기술적 한계로 300단 안팎의 제품을 제조하려면 ‘트리플 스택’을 쓸 수밖에...
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D램·낸드도 韓 바짝 따라와 2024-04-23 18:20:48
삼성전자 SK하이닉스와 비슷한 시기에 200단이 넘는 3D 낸드를 생산한 것이다. 삼성전자는 23일 업계 최고 적층 단수인 286단을 적용한 낸드 양산을 시작했다. 내년엔 430단 제품 출시를 추진할 계획이다. SK하이닉스는 내년 상반기 300단대 제품 생산을 준비하고 있다. 상하이=박의명 기자 uimyung@hankyung.com
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회심의 V낸드 나왔다…최대로 쌓아올려 한번에 뚫는 '삼성 기술력' 2024-04-23 11:18:36
구멍)을 뚫는 최첨단 신기술로 저장 용량을 키울 뿐 아니라 생산성까지 높인 게 핵심이다. 삼성전자는 업계 최초로 9세대 V낸드 양산을 시작한다고 23일 밝혔다. 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)가 이전 세대 대비 약 1.5배 증가했다. 이번 9세대 V낸드는 더...
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삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…낸드 리더십 강화 2024-04-23 11:02:37
공정 혁신으로 생산성을 끌어올렸다고 설명했다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 쌓은 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술로, 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산 효율이 증가하기 때문에 정교화·고도화가 요구된다. 실제로 낸드의 적층 경쟁이 치열해지면서 적층 공정 기술력의...
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[마켓칼럼] 제조 전략 달라진 AAM '투톱'…조비와 아처, 승자는 누구 2024-04-15 15:30:02
아처는 일반적으로 생산되는 원통형 배터리 셀을 사용하는 반면, 조비는 성능이 뛰어나지만 인증이 쉽지 않은 파우치 셀을 사용한다. 또 조비는 적층 제조(additive manufacturing)와 복합재를 사용하여 제조하는 반면 아처는 전통적인 항공 우주 소재를 사용한다. 인증·상용화의 '효율적 경로'는 무엇일까아처는...
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'낸드플래시 봄' 왔다…적층 경쟁 나선 반도체업계 2024-04-10 20:38:00
수 있는 것과 비슷한 이치다. V9의 적층 단수는 업계 최고인 290단 수준으로 전망된다. 삼성전자는 V9 출시를 통해 낸드플래시 기술 주도권을 가져갈 계획이다. 삼성전자 V9에서 주목할 점은 ‘더블 스택’ 기술을 활용한다는 것이다. 더블의 의미는 쌓아 올린 저장 공간인 셀을 전기적으로 연결하는 ‘채널 홀’을 두 번...
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"낸드플래시 봄이 왔다"…삼성 신무기로 '한계 도전' 2024-04-10 16:51:16
있는 것과 비슷한 이치다. V9의 적층 단수는 업계 최고인 290단 수준으로 전망된다. 삼성전자는 V9 출시를 통해 낸드플래시 기술 주도권을 가져갈 계획이다. 삼성전자 V9에서 주목할 점은 ‘더블 스택’ 기술을 활용한다는 점이다. ‘더블’의 의미는 쌓아 올린 저장공간인 셀을 전기적으로 연결하는 ‘채널 홀’을 두 번...
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보조금·AI 반도체 수요 증가에 美 투자 속도내는 반도체 업계 2024-04-07 12:58:29
투자에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 미국 반도체 생산 시설에 대한 투자 규모를 종전보다 2배 이상으로 늘리기로 했고, SK하이닉스는 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산 기지로 인디애나주를 낙점했다. 7일 업계에 따르면 미 일간 월스트리트저널(WSJ)은 5일(현지시간) 삼성전자가 미국 텍사스주에 대한 반도체 투자를 ...
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