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삼성, 1초에 풀HD 영화 82편 전송할 D램 세계 첫 출시 2020-02-04 18:22:51
8개를 쌓아 16GB 용량을 구현한 것이 특징이다. 16Gb D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만 개가 넘는 TSV(실리콘 관통 전극) 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 ‘초고집적 TSV 설계 기술’을 적용했다. 이 제품은 ‘신호전송 최적화 회로 설계’를 활용해 총 1024개의 데이터 전달 통로에...
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"1초에 영화 82편 보낸다"…삼성, 슈퍼컴퓨터용 초고속 D램 출시 2020-02-04 09:18:52
향상됐다. HBM은 D램 칩을 얇게 깎아 수천개의 미세한 구멍을 뚫고 상단과 하단칩을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 TSV 패키징 기술이 적용된 고대역폭 메모리다. AI, 빅데이터, 그래픽카드 등 빠른 데이터 처리가 필요한 솔루션에 적용된다. 삼성전자는 2세대 HBM2 D램 `아쿠아볼트`를 세계 최초로 개발, 양산한...
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1초에 영화 82편 전송...삼성전자, 초고속 D램 세계최초 출시 2020-02-04 08:42:38
삼성전자는 강조했다. 삼성전자는 16Gb D램 칩에 5천600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개가 넘는 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 `초고집적 TSV 설계 기술`을 이 제품에 적용했다. 아울러 `신호전송 최적화 회로 설계`를 활용해 총 1천24개의 데이터 전달 통로에서 초당...
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삼성전자, AI·차세대 슈퍼컴퓨터용 '초고속 D램' 세계 첫 출시 2020-02-04 08:28:17
칩에 5천600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개가 넘는 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'을 이 제품에 적용했다. 아울러 '신호전송 최적화 회로 설계'를 활용해 총 1천24개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트(Gb)의 속도로...
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천장서 달리는 '도마뱀 발바닥의 비밀'…신소재 설계 정확도 높인다 2020-01-31 17:08:47
뭉쳐 있다. 이들 알갱이 경계에 생기는 미세한 틈이 경계결함이다. 경계결함은 소재 종류에 따라 약이 될 수도, 독이 될 수도 있다. 강철에선 경계결함이 많을수록 강도가 떨어진다. 반대로 배터리 전극소재의 경계결함은 많아질수록 이온 전도도가 좋아져 배터리 효율을 높인다. 미 캘리포니아대 버클리캠퍼스(UC버클리대)...
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"다결정 소재 성능제어 기술 개발…반도체·배터리에 활용 기대" 2020-01-16 03:00:00
전극 등 다결정 소재는 주변에서 어렵지 않게 찾아볼 수 있다. 이 다결정 소재를 이루는 알갱이 사이에는 미세한 틈(경계결함)이 있는데, 지금껏 이 틈은 소재의 단점이 된다고 알려졌다. 강철의 경우 경계결함이 많을수록 강도가 떨어진다. 그러나 소재에 따라서는 경계결함을 이용해 성능을 향상할 수도 있다. 배터리...
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접는 PCB·2차원 다이아몬드…'꿈의 신소재' 그래핀 상용화 잰걸음 2020-01-10 17:09:30
작동하는 것은 투명전극이 미세 압력에 따른 전위차를 인식하기 때문이다. 투명전극에는 인듐주석산화물(ITO)이 주로 쓰인다. 그런데 비싸고 잘 깨지며 수입에 의존하고 있기 때문에 그래핀 대체 연구가 활발히 이뤄지고 있다. 전기자동차에 쓰이는 리튬이온전지도 전극 소재를 그래핀으로 바꾸면 용량과 효율을 높일 수...
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반도체 클린룸 기술, 석탄발전소에 적용…미세먼지 99% 줄인다 2019-11-29 17:03:04
한국기계연구원은 두산중공업과 함께 석탄화력발전소 배출 미세먼지를 99% 이상 없애는 ‘정전습분제거(EME)’ 장치를 개발했다. 화력발전소 굴뚝 가장 끝부분에서 배출되는 미세먼지를 ㎥당 0.5㎎ 이하로 제거하는 기술이다. 오염물질 입자에 전기를 걸고, 특수하게 설계한 전극 한쪽으로 몰아 처리한다. 반도체...
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"반도체 패키징도 초격차"…삼성, 3차원 12단 기술 최초 개발(종합) 2019-10-07 10:22:25
전극(3D-TSV)' 기술을 업계 최초로 개발하는 데 성공했다고 7일 밝혔다. 이 기술은 와이어를 이용해 칩을 연결하는 기존 방식(와이어 본딩)과는 달리 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 20분의 1 수준에 불과한 미세한 전자 이동통로 6만개를 만들어 연결하는 방식이다. 종이(100㎛)의 절반 이하 두께로 가공한...
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반도체 패키징 초격차…삼성전자, 3차원 12단 기술 최초개발 2019-10-07 10:14:20
관통전극(3D-TSV)' 기술을 업계 최초로 개발하는 데 성공했다고 7일 밝혔다. 이 기술은 와이어를 이용해 칩을 연결하는 기존 방식(와이어 본딩)과 달리 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기 20분의 1 크기의 미세한 전자 이동통로 6만개를 만들어 연결하는 방식이다. 종이(100㎛)의 절반 이하 두께로 가공한 D램 칩...
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