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'세계최대' 평택 삼성반도체 생산라인 본격 가동 2017-07-04 11:00:14
곧바로 나서는 동시에 화성 사업장에도 6조원을 투입해 극자외선 노광장비(EUV) 등의 신규 라인을 확보하기로 했다. 평택 라인의 기존 투자 금액까지 포함하면 오는 2021년까지 총 투자 규모가 약 37조원에 달할 것으로 추산됐다. 아울러 지난 2014년 완공돼 현재 100% 가동률을 보이는 중국 시안(西安) 반도체 라인에도...
삼성, 4나노 공정 2020년 개발…반도체 미세공정 로드맵 발표(종합) 2017-05-25 19:36:21
계획이다. 극자외선 노광장비(EUV)를 적용한 7나노, 6나노, 4나노 공정개발 시점은 각각 2018년, 2019년, 2020년이 목표다. 삼성전자는 이와 함께 사물인터넷(IoT)에 적합한 28나노 FD-SOI 기술을 확대하고, 'M램'(Magnetic Random Access Memory)을 적용한 차세대 18나노 FD-SOI 기술도 선보이겠다고 밝혔다. 신규...
삼성-SK하이닉스 “4차산업혁명, 파운드리로 대비” 2017-05-25 16:56:29
극자외선 장비인 EUV를 도입해 7나노 공정 개발을 완성하고, 3년 뒤인 2020년에는 차세대 트랜지스터 구조를 적용한 4나노 공정을 개발하는 것이 삼성전자의 목표입니다. 삼성전자의 이같은 행보는 반도체 업체들이 파운드리 시장에 공격적으로 나서기 위한 전초전으로 풀이됩니다. SK하이닉스도 파운드리 사업부의...
삼성전자 파운드리 로드맵 "3년내 4나노 개발" 2017-05-25 10:41:50
공정인 8나노공정 개발을 완료하고, 내년에는 극자외선 장비인 EUV를 도입해 7나노 공정 개발을 완성하기로 했습니다. 7나노 공정은 네덜란드의 ASML과 협력을 통해 기존 미세공정의 한계를 극복하게 될 것이라고 삼성전자는 설명했습니다. 오는 2019년에는 초 저전력 특성을 가진 6나노 공정과 함께 현재 트랜지스터...
삼성, 미국서 '파운드리 포럼'…4나노 공정 로드맵 발표 2017-05-25 09:29:03
완료할 계획이다. 극자외선 노광장비(EUV)를 적용한 7나노, 6나노, 4나노 공정개발 시점은 각각 2018년, 2019년, 2020년이 목표다. 신규 솔루션인 18나노 FD-SOI는 현재 양산되고 있는 28나노 FD-SOI 공정에 저전력 특성을 향상한 차세대 솔루션으로, 2020년 공정개발이 완료된다. 사물인터넷(IoT) 시대에는 수많은 양의...
슈퍼사이클 탄 반도체업계, 투자·기술 경쟁도 격화 2017-04-01 09:23:01
극자외선) 웨이퍼와 EUV 공정 개발을 공개한 상황이다. 반도체업계 관계자는 "무엇보다 위협적인 요소는 중국의 대규모 물량 투자"라며 "모든 반도체업체가 중국의 움직임을 예의주시하고 있다"고 말했다. 반도체 산업은 특성상 막대한 시설·설비 투자가 꾸준히 필요한데 중국 반도체업계는 기업이 어려워도 정부의 지원...
[삼성전자 '어닝 서프라이즈'] 반도체 '슈퍼호황' 올라탄 삼성전자…올해 영업이익 40조 넘긴다 2017-01-24 20:29:45
극자외선 노광장비)를 투입해 성능과 전력소모 측면에서 경쟁력을 확보할 예정”이라고 말했다.갤럭시s8에는 삼성전자가 자체 개발한 대화형 인공지능(ai) 서비스가 도입된다. 삼성전자 관계자는 “지난해 인수한 미국 비브랩스의 역량을 활용해 pc와 가전제품까지 연결할 계획”이라고 말했다.노경목 기자...
삼성 반도체 위탁생산 공정 공개 2016-11-03 16:37:36
3세대 공정까지 공개한 것이다.삼성전자는 극자외선노광기(euv)를 활용한 7㎚ 공정 개발 현황도 공개됐다. 7㎚ 이하 미세공정에는 기존 이머전 노광장비가 아닌 euv라는 새 노광장비가 필요한데, 이 장비는 가격이 비싸다. 업계 관계자는 “삼성전자가 euv를 활용한 7㎚ 웨이퍼 및 개발현황 등을 공개했지만, 당장...
삼성전자 美서 파운드리 포럼…10나노 3세대 공정 공개 2016-11-03 06:15:06
미세공정 패터닝 기술의 한계로 EUV(Extreme Ultraviolet·극자외선) 기술이 도입되는 7나노 공정 양산이 이뤄지기 전까지는 10LPU가 비용 대비 효율이가장 뛰어난 공정이 될 것으로 보고 있다. 삼성전자는 이와 함께 7나노 EUV 웨이퍼와 EUV 공정 개발 현황도 밝혔다. 파운드리 최대 경쟁업체인 대만의 TSMC...
삼성전자, 세계 최초 10나노 공정 AP 양산 2016-10-17 18:14:05
7㎚ 이하 공정에선 이머전 노광장비가 아니라 극자외선노광기(euv)가 필요해 생산성 향상이 쉽지 않을 것으로 보고 있다. euv는 한 대에 수천억원이 넘는다. 하지만 tsmc는 7㎚까지는 euv 없이 기존 노광장비를 이용할 수 있을 것으로 보고 있다.업계 관계자는 “tsmc가 euv 없이 7㎚ 공정을 개발한다면 삼성보다 앞설...
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