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[단독] '세계 2위 반도체 장비업체' 미국 램리서치 마틴 앤스티스 CEO "D램·낸드…범용 메모리는 한계를 맞았다" 2016-04-18 19:09:37
d램보다 속도가 빠르며, re램은 낸드보다 빠르고 내구성이 좋다. 인텔이 올해 양산을 시작하는 3d x포인트는 속도, 용도 측면에서 d램과 낸드 사이에 자리잡을 것으로 관측되고 있다.지난해 반도체 업계에선 유난히 인수합병(m&a)이 많았다. 블룸버그에 따르면 작년에만 1100억달러 규모의 m&a가 성사됐다. 램리서치도 업계...
삼성전자, 세계 최초 `10나노급 D램` 양산 2016-04-05 17:16:00
D램보다 생산성과 속도가 30% 이상 개선됐습니다. 단순 처리 속도를 따져보면 4GB 영화 한 편을 다운받을 때 13.3초 걸렸다면, 이 반도체를 적용하면 10초면 받을 수 있습니다. 또 초절전 설계 기술이 적용돼 동작 상태에 따라 소비전력이 최대 20%까지 줄었습니다. 삼성전자는 지난 2014년 세계 최초로 20나노급 D램을...
삼성, 세계 최초 10나노급 D램 양산…메모리 반도체 기술 한계 돌파 2016-04-05 14:07:30
d램보다 생산성을 30% 이상 높였다. 또 기존 20나노 제품 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200mbps(초당 메가비트)를 구현할 수 있고, 소비전력을 10~20% 절감할 수 있다. 삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 '사중 포토 노광 기술'을 업계 최초로 d램에도 구현했다. 사중 포토...
삼성전자 세계 최초 10나노급 D램 양산 “편리성 향상에 기여해 나갈 것” 2016-04-05 11:33:00
d램보다 생산성을 30% 이상 높였다.10나노급(1x) 8gb ddr4 d램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200mbps를 구현할 수 있다. 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있다.삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 ‘사중 포토...
삼성전자, 10나노급 `8기가비트 D램` 세계 최초 양산 2016-04-05 11:03:53
DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높일 수 있습니다. 삼성전자가 업계 최초로 D램에 적용한 `사중 포토 노광 기술`은 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술입니다. `초균일 원자유전막 형성 기술`은 D램이 초미세 캐패시터에 충분한 양의 전하를 저장하기 위해 필요한...
삼성전자 세계 최초 '10나노급 D램 시대' 열었다 2016-04-05 08:42:53
DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다. 10나노급 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비동작 속도가 30% 이상 빠른 3천200Mbps를 구현할 수 있다. 동작 상태에 따라 소비전력을 10∼20% 절감할 수 있다. 사중 포토 노광기술은 초고집적으로 셀(정보 저장의 최소 단위)을 만들기...
삼성전자, 데이터 처리 속도 7배 향상 4GB 고성능 D램 양산 2016-01-19 17:37:15
램보다 데이터 처리 속도가 7배 이상 빠른 차세대 4기가바이트(gb) hbm2(고대역폭메모리) d램(사진)을 양산한다고 19일 발표했다. 빅데이터를 다루는 클라우드 서비스, 고성능 컴퓨팅 환경에 적합한 차세대 메모리다.hbm2 d램은 초당 256gb의 데이터를 전송한다. 현재 개발된 d램 중 가장 빠른 4기가비트(gb) gddr5보다 7배...
삼성, 세계 최초 4GB HBM2 D램 양산…7배 빨라진 초고속메모리 2016-01-19 10:11:34
d램보다 7배 이상 빠르다. 지금까지 개발된 d램 중 가장 빠른 제품은 4기가비트(gb) gddr5로 속도는 9gbps(초당 기가비트)이었다. 4gb hbm2 d램은 와트(w)당 데이터 전송량를 2배 높여 전력 소모도 크게 줄였다. 앞서 삼성전자는 지난해 10월 128gb ddr4 d램 모듈 양산에 성공하며 초고속 메모리 시장을 확대했다. 이후...
삼성전자, 7배 이상 빨라진 D램 양산 2016-01-19 10:09:27
D램보다 7배 이상 빠른 차세대 `4GB HBM2(고대역폭 메모리) D램`을 본격 양산한다고 19일 밝혔습니다. HBM2 D램은 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용해 칩에 5천개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결함으로써 기존의 금선을 이용한 D램 패키지에 비해 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올린 제품입니다. 기존 1세대 규격보다...
삼성 세계최초 '4GB HBM D램' 양산…7배 더 빨라진다 2016-01-19 09:00:09
속도의 D램보다 7배이상 빠른 차세대 Ɗ기가바이트(GB) HBM2(고대역폭 메모리·High Bandwidth Memory)D램'을 본격 양산한다고 19일 밝혔다. HSB D램은 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용해 D램 칩에 5천개 이상의 구멍을뚫고 상하를 연결, 기존의 금선을 이용한 D램 패키지보다 데이터 처리속도를 혁신적으로...
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