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'초소형 공기오염 측정 센서 원천기술' 개발 < KAIST> 2015-02-24 08:57:32
미세유동과 초소형 가열장치로 수마이크로미터만을 국소적으로 가열하는 '극소영역 온도장 제어기술'을 이용해 여러종류의 기능성 나노소재를 하나의 전자칩에 쉽고 빠르게 집적하는 기술을 개발했다. 대표적으로 공기오염 측정에 사용되는 센서 소재인 반도체성 금속산화물 나노소재 기반의 전자칩을 제작...
[스포츠 브랜드 스토리] "이길 수 있는 자전거"…위아위스, 기술력으로 외국산 넘는다 2015-02-24 07:01:21
글로벌 기업들을 차례로 제치고 양궁시장 세계 1위, 히든챔피언에 등극한 노하우를 바탕으로 또 한 번 세계 최고 제품으로 글로벌 시장을 호령하겠다는 당찬 포부가 묻어난다. 위아위스 자전거의 핵심 기술은 나노 카본에 있다. 자전거 경량화에 관심을 둔다면 필연적으로 ‘카본(carbon)’이라는 소재에 관심을...
퀀텀닷 재료값 인하…프리미엄 TV 가격 떨어지나 2015-02-20 06:15:08
발현하는 양자(量子·퀀텀)를 나노미터(㎚·10억분의 1m) 단위로 주입한 반도체 결정을 일종의 필름 형태로 부착해 디스플레이로 만드는 방식이다. 문제는 퀀텀닷 재료 물질의 불안정성이다. 양자 결정은 고온에서 매우 불안정한 탓에 일반적인 LCD 패널을 만들 때처럼 디스플레이에 필름을 입히기가 쉽지...
삼성전자, 메모리 이어 시스템반도체도 3차원구조 완성(종합) 2015-02-16 11:53:08
14나노(1나노미터는 10억분의 1m) 로직(Logic) 공정은 20나노 공정에 비해 성능은 20% 향상된 대신 소비전력은 35% 감소했다. 삼성전자는 기존 20나노 공정에서 사용한 평면(Planar) 구조의 한계를 극복하기위해 3D 트랜지스터 구조의 핀펫 공정을 적용했다. 삼성전자는 2000년대 초반부터 핀펫 공정 연구를...
삼성전자, 메모리 이어 시스템반도체도 3차원구조 완성 2015-02-16 09:50:41
14나노(1나노미터는 10억분의 1m) 로직(Logic) 공정은 20나노 공정에 비해 성능은 20% 향상된 대신 소비전력은 35% 감소했다. 삼성전자는 기존 20나노 공정에서 사용한 평면(Planar) 구조의 한계를 극복하기위해 3D 트랜지스터 구조의 핀펫 공정을 적용했다. 반도체 미세화 공정이 한계에 달하면서 셀 간...
모바일D램 한국업체 점유율 74%…삼성전자 5.2%p ↓ 2015-02-13 07:49:31
나노미터 공정으로 4gb(기가비트) lpddr3 제품을 양산하고 있는데, 앞으로 8gb lpddr3 제품을 생산하게 되면 수익성이 좋아질 것으로 d램익스체인지는 전망했다.sk하이닉스는 2014년 4분기에 모바일 d램 매출액 1억 달러를 돌파하면서 전분기 대비 5.4%의 성장률을 올렸다. sk하이닉스의 주력 제품은 25나노미터 공정의 4gb...
1나노미터보다 작은 반도체 제작 입증 <연구재단> 2015-02-09 15:01:33
작은 크기인 1옹스트롬은 실리콘 원자 1개에 해당되고, 나노미터크기에 적용되는 현상이 원자 크기에서도 동일하게 적용될 수 있을지는 여전히 미지수이기 때문이다. 연구팀은 이번에 실리콘 기판 위에 대면적으로 서로 다른 특성이 있는, 즉 전자도핑 정도가 다른 1나노미터 이하의 금속선을 반복적으로 배열하는 데...
SK하이닉스 낸드플래시도 약진…세계 3위권 보인다 2015-02-08 06:15:10
나노미터 공정의 생산 비중을 꾸준히 늘린 덕분에 높은 비트성장률을 유지할 수 있었다고 평가했다. 반면, 메모리 시장 부동의 세계 1위 삼성전자[005930]는 낸드플래시 시장에서도수위를 지켰지만, 작년 4분기 매출이 전분기보다 4.2% 줄어드는 등 성적표는 썩 신통치 못했다. 삼성전자는 5%의 비트 성장률을...
"연료전지 전해질막 이온이동 특성 규명"<기초지원硏> 2015-02-04 12:01:02
분야 세계 최고 학술지인 '앙게반테 케미' 1월 28일자 온라인판에 게재됐다. 반경이 수 나노미터에 불과한 나피온의 친수성 전해질 채널에서 물과 수소이온의 확산속도 차이와 이들의 채널 내 위치에 따른 확산속도 차이를 측정할 수 있었던것은 표지물 주변 1 나노미터 이내의 물과 수소이온의 확산계수를 측...
삼성전자 "하반기 되면 20나노가 대표 D램 공정될 듯" 2015-01-29 11:08:36
20나노미터(nm·1nm = 10억분의 1m) 공정이 대표 D램 공정으로 자리잡을 것이라고 전망했다. 삼성전자 메모리반도체사업부 백지호 전무는 29일 4분기 결산실적 콘퍼런스콜에서 이같이 말했다. 20나노 공정은 삼성전자의 기존 주력 25나노 공정에 비해 30% 이상, 경쟁사들의주력인 29나노에 비해서는 50% 이상...