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신화일렉트론, 수입에 의존했던 반도체 장비 국산화 성공 2015-03-02 21:37:15
] 신화일렉트론(대표 신원호·사진)은 반도체 공정의 질화막증착 공정용 장비(모델명 vulcan 300)를 국산화하고 이달부터 양산에 들어간다고 2일 발표했다. 이 회사는 최근 경기 화성시 동탄산업단지에 연면적 3630㎡ 규모의 공장을 준공했다. 공장부지 구입에 35억원, 시설 투자비로 25억원 등 총 60억원을 투자했다...
< ETRI 중소기업 기술이전과 융합으로 성과 '톡톡'> 2014-12-19 06:05:08
질화갈륨(GaN)'을 이용해 개발한 선박용 디지털 레이더는 전력 밀도가 높고 수명이 획기적으로 늘어나 선박뿐만 아니라 국방 기술의 레이더, 중계기 및 기지국 등의 통신용 증폭기, 우주·항공·자동차 등 다양한 산업분야에 적용될 것으로 기대된다. 이와 함께 자체 제작한 슈퍼컴퓨터를 기반으로 유전체 분석...
ETRI 질화갈륨 반도체, 유럽전시회서 '호평' 2014-10-21 14:54:31
부품 수명이 짧다는 단점이 있다. 질화갈륨을 기반으로 한 전력증폭기는 전력 밀도와 수명을 획기적으로 높여 고성능 레이더나 이동통신 기지국, 단말기, 위성통신 등에 활용될 수 있을 것으로 기대된다. 질화갈륨 전력반도체는 교류나 직류를 전력 변환하는 기술로, 전기자동차나 에어컨, 냉장고 등 일반...
LED 신호등 수명 늘리는 기술 개발 <표준연> 2014-10-14 09:50:28
질화갈륨(GaN)'을 박막 형태로 만들어 사용하는 LED 신호등을 특정 구조의 나노입자로 변화시킴으로써 지속시간을 2배 이상 늘리는 데 성공했다. 나노입자는 지름이 1∼100나노미터(㎚, 10억분의 1ｍ) 이하의 입자로, 크기가너무 작아 나노입자로 구성된 나노재료의 구조를 파악하거나 제조방법을 알기 어렵다는...
테스, '전력반도체용 MOCVD장비 개발' 추진 2014-07-01 14:25:02
질화갈륨 온 실리콘; gallium nitride on silicon) 웨이퍼를 기반으로 개발을 추진한다. gan on si 기반의 전력반도체 제조시에서는 에피성장이 핵심공정으로, 이미 테스가 uv led용 mocvd 양산경험을 통해 기반기술을 확보해 놓고 있어 장점을 극대화 할 수 있다는 게 회사측 설명이다. 높은 항복전압과 고온동작이 중요한...
ETRI, 킨텍스서 국방 IT기술 전시 2014-05-28 10:56:13
항공기 레이더 송신기술인 'GaN(질화갈륨) 트랜지스터 기반 Ku-대역 고출력 증폭기 기술'과 미래 군통신 핵심기술인 'GaN 기반 고출력 증폭기 MMIC(초고주파 집적회로) 및 모듈'도 전시할 예정이다. 또 1996년 세계 최초로 상용서비스에 성공한 'CDMA 핵심 보드 및 칩'을 정부출연 연구기관의...
주성엔지, 세계 최초 시공간 분할 플라즈마 화학증착기 개발 2014-05-21 11:59:20
및 원자층증착(ald)뿐만 아니라, 질화(nitridation), 산화(oxidation), 도핑(doping)과 금속(metal)전극 증착 기능 등 다양한 공정 대응이 가능하다는 설명이다. 특히 차세대 반도체공정의 효율성을 극대화하기 위해 새로운 공정개발에 공을 들였다. 또 최대 10개까지 싱글 챔버를 통합할 수 있도록 제작돼 단위 시간당...
영남대, 산학협력으로 우수 기술 ‘사업화’ 2014-01-08 14:57:19
교수의 ‘질화알루미늄 분말제조 기술’에 대한 기술이전 조인식도 함께 진행된다. 기술이전 기업은 정밀화학제품 제조업체인 엘티씨(대표 최호성)다. 대학은 기술이전료 3억 원과 함께 2031년까지 해당기술을 적용해 발생하는 연간 매출액의 1~1.5%(200억 원 기준)를 경상기술료로 받게 된다. 대구=김덕용 기자...
< ETRI '10대 기술'로 미래 먹을거리 만든다> 2013-12-15 06:00:17
쓰이는 전력 증폭기술이 개발됐다. ETRI는 반도체 소자인 질화갈륨(GaN)을 이용해 크기는 줄어들고 효율은 높인 전력 증폭기를 개발, 지난 7월 이를 이용한 '선박용 디지털 레이더' 개발에 성공했다. 디지털 레이더는 해상도가 기존 제품보다 2배 이상 뛰어나 악천후 속에서도 10km 밖에 있는 70cm 정...
ETRI, 레이더용 차세대 고출력 반도체 개발 2013-11-19 20:45:29
등 응용 범위가 넓다. etri는 질화갈륨(gan)을 사용해 전력 밀도가 최대 10배, 증폭소자 교체 주기는 16배, 전력 효율은 30% 이상 개선한 반도체를 개발했다고 19일 발표했다. 기존 반도체는 실리콘(si)이나 갈륨비소(gaas)를 이용해 만든다. 일반 전자제품에는 기존 반도체로 충분했다. 하지만 고출력이 요구되는 레이더...
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