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삼성전자, 중국서 첫 AI 포럼…차세대 메모리 솔루션 공개 2018-11-15 16:00:13
D램'을 비롯해 차세대 빅데이터와 스토리지 시스템에 최적화한 256기가바이트(GB) D램 모듈, 세계 최고 수준의 처리 속도를 갖춘 그래픽용 메모리인 16기가비트 GDDR6 그래픽 D램 등을 선보였다. 시스템 LSI 사업부는 AI 기능을 대폭 강화한 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) '엑시노스9(9820)'과 신소재를 적...
[ 분야별 송고기사 LIST ]-외신 2018-11-15 15:00:07
中 바이트댄스, 미 우버 제치고 세계 최대 '유니콘' 등극 181115-0636 외신-011114:26 신남방 주요국 인도네시아·말레이시아와 양자 FTA 추진 181115-0662 외신-011214:46 펜스 "트럼프 대통령, 김정은 위원장과 내년 만날 것"<로이터>(속보) 181115-0670 외신-011314:54 펜스 "트럼프, 김정은 위원장과 내년 만날...
"1초에 영화 11편 처리"…SK하이닉스, 차세대 D램 개발 성공 2018-11-15 14:00:09
기존 제품(3천200메가비트)의 1.6배에 달한다. 이는 3.8기가바이트 용량의 FHD(풀HD)급 영화 11편에 해당하는 41.6기가바이트의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. SK하이닉스는 최근 개발한 2세대 10나노급 8기가비트 DDR4 D램에 이어 같은 미세공정을 적용한 16기가비트 DDR5 D램을 주요 칩셋 업체에 실제로...
SK하이닉스, 차세대 D램 `DDR5`개발..."2020년부터 본격 양산" 2018-11-15 14:00:00
고용량 제품이라며 최근 개발한 2세대 10나노급(1y) 8Gbit(기가비트) DDR4에 이어, 동일한 미세공정을 적용한 16Gbit DDR5도 주요 칩셋 업체에 제공함으로써 업계를 선도하는 기술경쟁력을 확보할 수 있게 됐다고 강조했습니다. 회사는 또, "이 제품은 이전 세대인 DDR4 대비 동작 전압이 기존 1.2V에서 1.1V로 낮아져,...
삼성전자, AI 연산속도 7배 높인 '엑시노스 9' 공개 2018-11-14 14:03:08
8ca)로 데이터를 최대 초당 2기가비트(gbps) 속도로 다운로드 가능하고, 초당 최대 316메가비트(mbps) 속도로 업로드 할 수 있다.초당 2기가비트는 fhd 고화질 영화(3.7 기가바이트)를 약 15초 만에 다운로드 가능한 속도로 고해상도 인터넷 방송을 실시간으로 시청하거나 다중 접속 온라인게임(mmog)을 지연 없이 구동할...
3D 낸드?…SK하이닉스 '96단 4D 낸드'로 간다 2018-11-04 19:18:19
64킬로바이트(kb)로 업계 최고 수준이다.이전 제품인 72단 512gb 낸드와 비교하면 제품 크기는 30% 이상 줄어들고, 웨이퍼당 비트 생산량은 1.5배 늘었다. 쓰기와 읽기 성능은 각각 30%, 25% 향상됐다. sk하이닉스는 이번에 개발한 4d 낸드 제품을 장착한 1테라바이트(tb) 용량의 소비자용 ssd(솔리드스테이트드라이브)를...
SK하이닉스 세계 최초 4D 낸드 개발 "칩 사이즈 30% 이상 줄이고 속도 30% 향상" 2018-11-04 15:25:06
flash) 구조에 puc(peri under cell) 기술을 결합한 '96단 512기가비트급 tlc(트리플 레벨 셀) 4d 낸드플래시'를 세계 최초로 개발했다"고 밝혔다.sk하이닉스는 ctf 기반에서는 처음으로 puc 기술을 도입했다는 차별성을 강조하기 위해 이 제품의 이름에 '4d'를 붙였다고 설명했다.이 제품은 기존의 ...
SK하이닉스, 세계최초 96단 4D낸드플래시 개발..."고용량 저장 가능한 고부가가치 제품" 2018-11-04 13:46:00
512기가비트 TLC(Triple Level Cell) 낸드플래시 개발에 성공해 연내 초도 양산에 진입한다고 밝혔습니다. SK하이닉스에 따르면 512Gbit 낸드는 칩 하나로 64기가바이트의 고용량 저장장치 구현이 가능한 고부가가치 제품입니다. SK하이닉스 4D 낸드는 기존 일부 업체가 플로팅 게이트(Floating Gate) 셀(Cell) 구조에...
SK하이닉스, 세계 최초 CTF 기반 '96단 4D 낸드' 개발 2018-11-04 10:18:43
512gbit(기가비트) tlc(triple level cell) 낸드플래시 개발에 성공해 연내 초도 양산에 진입한다고 4일 밝혔다. 신제품은 ctf(charge trap flash)와 puc(peri under cell)를 결합한 방식으로 512gbit 낸드 칩 하나로 64gbyte(기가바이트)의 고용량 저장장치 구현이 가능한 고부가가치 제품이다.4d 낸드는 기존 일부 업체가...
SK하이닉스, 96단 '4D 낸드' 개발 성공…"세계최초 CTF 기반" 2018-11-04 10:00:03
제품은 기존의 72단 512기가비트 3D 낸드보다 칩 크기는 30% 이상 줄었고, 웨이퍼 당 비트 생산은 1.5배 수준으로 늘었다. 또 동시 처리 가능한 데이터는 업계 최고 수준인 64킬로바이트에 달하며, 쓰기·읽기 성능도 72단 제품보다 각각 30%와 25% 향상됐다. 특히 칩 크기가 줄어들었기 때문에 1개로 기존 256기가비트 3D...