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[ 분야별 송고기사 LIST ]-사회 2017-03-16 15:00:03
큰 불만 내요" 170316-0667 사회-0190 12:00 '저항변화메모리 누설전류 차단' 반도체 스위치소자 개발 170316-0669 사회-0191 12:00 봄철 유행 '알레르기 결막염' 조심…"10세 미만이 20%" 170316-0670 사회-0192 12:00 '세계 여성 발명품 한자리' 6월 8∼11일 일산 킨텍스서 박람회 170316-0672...
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'저항변화메모리 누설전류 차단' 반도체 스위치소자 개발 2017-03-16 12:00:25
저항변화메모리 누설전류 차단' 반도체 스위치소자 개발 포항공대 이장식 교수 "차세대 메모리·전력반도체·뉴로모픽소자 적용 기대" (대전=연합뉴스) 이주영 기자 = 국내 연구진이 전기가 없어도 정보가 지워지지 않는 플래시 메모리 등을 대체할 차세대 것으로 주목받는 저항변화메모리의 누설전류를 획기적으로...
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전력소모 없는 '무전력 메모리' 가능성 첫 규명 2017-01-31 12:00:00
강한 자성을 띠는 물질인데, 자성 상태를 변화시키면 각기 다른 저항이 생겨 이를 메모리 소자로 이용할 수 있게 된다. 연구진은 이번 연구에서 강자성체의 자구벽(자성 경계)끼리 충돌시키면 전자스핀의 배열이 흐트러지며 '스핀파' 파동이 생기는 것을 알아냈다. 또 이 스핀파가 다시 자구벽을 밀어내 자성을...
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[동정] 김희동 세종대 교수 '美 IEEE 논문경진대회 은상' 2017-01-17 09:27:11
신개념 차세대 비휘발성 메모리 소자 개발에 대한 논문으로 수상했다. 김 교수는 저항변화 메모리(rram) 소자의 신뢰성과 성능 향상에 관한 연구로 추가 실험을 거쳐 《ieee 일렉트론 디바이스 레터》에 논문을 투고할 예정이다.학교 관계자는 “세종대는 이공계 중심대학으로의 혁신에 힘 쏟고 있다. 우수 교수진의...
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물에 넣으면 10초 안에 녹는 보안 메모리 개발 2016-12-22 09:57:28
기기에 적용 가능" 국내 연구진이 물에 녹는 보안용 메모리 소자를개발했다. KAIST(한국과학기술원) 전기및전자공학부 최양규 교수 연구팀은 수용성 종이비누 위에 '비휘발성 저항변화메모리'(RRAM)를 구현하는 기술을 개발했다고 22일 밝혔다. 소량의 물에 담가두면 10초 안에 녹아 정보를...
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[단독] '세계 2위 반도체 장비업체' 미국 램리서치 마틴 앤스티스 CEO "D램·낸드…범용 메모리는 한계를 맞았다" 2016-04-18 19:09:37
퀄컴 등과도 협력해 반도체 생산라인을 짓기로 했다.■ m램자기저항 효과를 이용한 뉴메모리. 구조가 단순하면서도 속도와 내구성은 d램보다 뛰어나다.■ re램전기저항 변화를 이용한 뉴메모리. 낸드에 비해 속도가 20배 이상 빠르고 수명은 10배 이상 길다.김현석 기자 realist@hankyung.com 4月 장, 반드시 사둬야 할 新...
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[월요인터뷰] 황철성 서울대 반도체공동연구소장의 '반도체 위기론' 2015-11-01 18:40:34
서울대 반도체연구소장은메모리 소자와 반도체 물질·공정 분야에서 세계적인 석학으로 꼽힌다. 순수 국내파 학자지만 그의 연구실에는 외국 유학생이 앞다퉈 몰려오고 있다.황 소장은 지난 5월 낸드플래시 릿?저장하고 쓰는 속도가 1000배 빠르고 크기는 절반 이하인 차세대 저항변화메모리(re램) 관련 신기술을...
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[마켓포커스]-TODAY 핵심전략 2015-10-07 17:02:31
지속하고 있으며, 낸드프레쉬 메모리는 내년에 3D 낸드로 변화할 수 있어 기대감이 부여되고 있다. 현재 시점에선 유가에 관심을 가질 필요가 있다. 석유수출국 기구의 사무총장은 석유관련 투자가 많지 않았기 때문에 유가상승 여력이 있음을 언급했다. 이로 인해 현재 정유주가 상승하고 있으며 S-OIL은 배당으로서의...
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낸드보다 1000배 빠른 메모리 개발 2015-06-21 21:42:07
수 있는 차세대 메모리 기술을 개발했다.황철성 서울대 재료공학부 교수(사진) 연구팀은 낸드플래시보다 쓰기 속도가 1000배 빠르고 용량은 1.5배 큰 차세대 저항변화 메모리(rram)를 개발했다고 21일 발표했다.낸드플래시는 연간 240억달러 이상 수출되는 한국의 전략기술이다. 하지만 반도체 제작 공정이 10나노미터대로...
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쓰기속도 낸드플래시의 1천배 차세대 저항메모리 개발 2015-06-21 12:01:01
간섭을 막아주는 정류작용을 하고 아래에는 '메모리층-전극층'이 저항변화 메모리 역할을 한다. 이는 기존에는 별개였던 다이오드와 메모리를 한 소자에 동시에 구현함으로써저항변화와 정류작용이 신속히 이루어져 용량을 늘리는 데 최적화된 구조를 만든 것이라고 연구진은 설명했다. 황철성 교수는 ...
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