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쓰기속도 낸드플래시의 1천배 차세대 저항메모리 개발 2015-06-21 12:01:01
간섭을 막아주는 정류작용을 하고 아래에는 '메모리층-전극층'이 저항변화 메모리 역할을 한다. 이는 기존에는 별개였던 다이오드와 메모리를 한 소자에 동시에 구현함으로써저항변화와 정류작용이 신속히 이루어져 용량을 늘리는 데 최적화된 구조를 만든 것이라고 연구진은 설명했다. 황철성 교수는 ...
차세대 메모리의 3차원 적층법 논문 발표 <연구재단> 2014-07-24 12:00:25
정두성 박사팀이차세대 저항변화 메모리 소자를 3차원으로 쌓기 위한 과제를 정리한 논문을 발표했다고 24일 밝혔다. 저항변화 메모리는 저항변화 물질에 특정 전압(또는 전류)을 넣었을 때 변하는저항상태를 디지털 신호로 만들어 정보를 저장하는 차세대 비휘발성 메모리의 한 종류이다. 관련 분야...
D램·낸드플래시 이후 주도권은 우리가…韓·美·日, 차세대 메모리 개발 '불꽃 경쟁' 2013-11-25 20:30:26
게 흠이다. p램은 전원을 꺼도 데이터를 기억하는 비휘발성 메모리면서도, 데이터 읽기와 쓰기 속도에서 낸드보다 100배 이상 빠르다. 또 구조가 단순해 고용량 제품 개발이 쉬운 것으로 알려졌다. 삼성전자는 2003년 7월 p램 기술 개발에 성공했고 sk하이닉스도 작년 6월 미국 ibm과 손잡고 p램 개발에 들어갔다. 이에...
[특집②] 갤럭시S4 전격공개, 수혜주 찾기 2013-03-14 15:16:18
살펴보자. IC칩, 디스플레이, 메모리, 케이스, 카메라, 배터리, 연성PCB, 기타 부자재 등으로 구성되어 있다. 가장 중요한 것은 케이스 등 5% 미만의 구성비용을 가지고 있는 것들이다. 즉 전체를 100으로 봤을 때 케이스, 카메라, 배터리 부분이 5~4%인데 이는 생각 외로 부품 단가가 있는 부분이다. 우리가 생각했을 때...
"부도체→도체로 바뀌는 상전이 과정 알아냈다" 2013-03-13 14:35:51
저항이 적어지고, 일함수(고체에서 전자 한개를 빼내는데 필요한 에너지)도 일정한 패턴을 보이며 변화한다는 사실을 관찰해냈다. 산소함량을 임의로 변화시켜 상전이를 자유자재로 제어할 수 있게 되면 이를 활용한 광소자, 차세대 메모리 등의 개발도 앞당길 수 있을 것으로 기대된다. 이번 연구결과는 나노...
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