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AI기술 둘러싼 패권 경쟁…엔비디아·삼성의 전략 공개 2023-10-30 11:57:42
진화하고 있는지 생생한 트렌드를 발표한다. 반도체 집적도가 2년마다 2배씩 증가한다는 경험원칙인 '무어의 법칙'이 한계에 봉착한 상황에서 이를 어떻게 극복할 수 있는지 혁신적 대안도 제시할 전망이다. 이밖에 노동경제학자이자 영국 런던 소아스(SOAS) 대학 연구교수 가이 스탠딩, 미래학자이자 '로봇의...
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삼성 HBM, 1초에 고화질영화 40편 처리 2023-10-21 11:47:34
수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 전했다. 특히, 10나노 이하 D램에서는 기존 2차원(2D)의 평면이 아닌 3D의 신구조를 도입할 계획이라고 밝혔다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D의 수직 구조로 극복하고 성능도 향상한다는 것이다. 이를 통해 1개 칩에서 용량을 100기가비트(Gb) 이상 늘릴 계획이다. 삼성전자는...
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삼성전자, 초거대 AI 컴퓨팅 탑재 초고성능 D램 'HBM3E' 공개(종합) 2023-10-21 11:32:16
수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 전했다. 특히, 10나노 이하 D램에서는 기존 2차원(2D)의 평면이 아닌 3D의 신구조를 도입할 계획이라고 밝혔다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D의 수직 구조로 극복하고 성능도 향상한다는 것이다. 이를 통해 1개 칩에서 용량을 100기가비트(Gb) 이상 늘릴 계획이다. 삼성전자는...
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삼성전자, 초거대 AI 컴퓨팅 탑재 초고성능 D램 'HBM3E' 공개 2023-10-21 03:00:01
수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 전했다. 특히, 10나노 이하 D램에서는 기존 2차원(2D)의 평면이 아닌 3D의 신구조를 도입할 계획이라고 밝혔다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D의 수직 구조로 극복하고 성능도 향상한다는 것이다. 이를 통해 1개 칩에서 용량을 100기가비트(Gb) 이상 늘릴 계획이다. 삼성전자는...
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삼성전자 "1000단 V낸드 시대 준비…초거대 AI 주도할 것" 2023-10-21 03:00:01
시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다. 삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수...
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삼성, 5나노 eMRAM 로드맵 공개…"車 반도체 선도" 2023-10-19 20:00:01
14나노 대비 집적도 30%, 속도 33%가 증가할 것으로 기대된다. 이밖에 8인치 BCD 공정 포트폴리오도 강화한다. 현재 양산중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대하며 90나노 전장 BCD 공정은 130나노 대비 약 20% 칩 면적 감소가 기대된다. 트랜지스터 사이의 간격을 줄여 전력반도체의 성능을 향상시키는...
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삼성전자, 2027년까지 5나노 eM램 개발한다…전장 로드맵 구체화 2023-10-19 20:00:00
집적도는 30%, 속도는 33% 증가할 것으로 기대된다. eM램은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체다. 삼성전자는 2019년 업계 최초로 28나노 FD-SOI 공정 기반 eM램을 탑재한 제품을 양산했으며, 현재 2024년 완료를 목표로 핀펫(FinFET) 공정 기반...
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삼성 "11나노급 D램으로 초격차 지속" 2023-10-17 17:59:51
보통 집적도가 향상되면 같은 면적의 웨이퍼에서 더 큰 용량의 칩을 더 많이 제조할 수 있다. 삼성전자는 차세대 D램을 선폭(회로의 폭) 11㎚대 공정에서 개발 중이다. 역대 D램 공정 중 가장 미세한 수준으로 평가된다. 이 사장은 “11㎚급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것”이라고 강조했다. 낸드플래시에선...
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삼성전자 "11나노급 D램과 9세대 V낸드로 메모리 초격차" 2023-10-17 14:52:00
가능성을 열다'를 통해 "D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여나가겠다"고 발표했다. 이 사장은 "현재 개발 중인 11nm급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것"이라며 "9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중"이라고 밝혔다. 더블스택은 쌓아 올린 저장 공간의 전기적...
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삼성전자 "11나노급 D램·9세대 더블스택 V낸드 개발로 초격차" 2023-10-17 10:16:48
올린 기고문에서 "D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여나가겠다"고 말했다. 이 사장은 "현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것"이라며 "9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다"고 밝혔다....
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