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[단독] 삼성, 마이크론 '기술 뻥튀기'에 열 받았다…'초강수' 2021-05-05 13:59:55
‘1x’(1세대 10nm), 2018년 등장한 2세대 제품은 ‘1y’, 3세대는 ‘1z’로 표현했다. 올 초에는 4세대를 뜻하는 ‘1a’까지 등장했다. 시장에선 1x는 10nm대 후반, 1z는 10nm대 중반 정도로 추정할 뿐이었다. 이에 따라 삼성전자의 1z D램과 SK하이닉스의 1z D램의 스펙 차이에 대해서도 구체적으로 파악하기 어려운...
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"TSMC가 세계 1위? 절대 밀리지 않는다"…삼성의 자신감 [황정수의 반도체 이슈 짚어보기] 2021-02-20 16:12:16
있기 때문이다. 삼성전자는 지난해 이미 1세대 10nm(1x) D램 양산에 EUV 장비를 성공적으로 적용했다. 올해엔 4세대 10nm(1a) D램을 EUV 라인에서 본격 양산할 계획이다. 삼성전자는 "원가 경쟁력 제고 및 성능, 특성, 품질 완성도를 강화해 시장 리더십을 선도할 예정"이라며 "AI, 엣지컴퓨팅(Edge Computing) 등 포스트...
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SK하이닉스, D램 생산에 EUV 시대 열다…이천 M16 공장 준공(종합) 2021-02-01 15:24:12
지난해 3월 1세대 10나노급(1x) DDR4에 EUV 공정을 시범 적용해 고객 평가를 마쳤으며 올해 하반기 선보일 차세대 D램인 DDR5와 모바일용 LPDDR5부터 EUV 장비로 양산에 들어갈 예정이다. 글로벌 D램 3위 업체인 미국의 마이크론테크놀로지는 지난 1월 말 세계 최초로 4세대 10나노급 차세대 D램을 출하했다고 발표했다....
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삼성보다 또 빨랐다…미 마이크론, 차세대 D램 출하 시작 2021-01-27 16:10:46
1α D램을 출하한 업체가 됐다. D램 제조사들은 1세대 제품인 1x 출하 이후 회로 선폭을 줄이며 공정에 따라 2세대(1y), 3세대(1z), 1α 등으로 명명한다. 이번에 마이크론이 출시한 제품은 13~14나노 내외로 알려졌다. 스캇 드보어 마이크론 기술·제품담당 수석부사장은 "4세대 10나노급 D램은 3세대보다 메모리밀도가 4...
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'슈퍼사이클' 예고된 D램, 내년부터 첨단 공정으로 승부수 2020-12-14 08:50:08
3월 1세대 10나노급(1x) DDR4에 EUV 공정을 시범 적용해 고객 평가까지 마쳤다. 본격 양산은 내년 하반기 선보일 차세대 D램인 DDR5와 모바일용 LPDDR5부터 적용되며 세계 최대 규모의 평택 2라인에서 생산된다. 이 D램은 기존 제품보다 속도가 1.8배가량 빠른 4세대 10나노급(1a)으로 EUV 장비를 쓰면 기존 DDR4(1x)보다...
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내년 메모리 반도체 '빅사이클說 ' 실체 뜯어보니 [노정동의 3분IT] 2020-11-08 07:00:06
1세대(1x) 공정을 2세대(1y)와 3세대(1z) 공정으로 전환하고 있으며 극자외선(EUV) 노광공정을 적용한 4세대(1a) 공정 기반의 D램 양산도 앞두고 있습니다. 반도체 업계 한 관계자는 "대형 서버업체들의 재고가 여전히 있는데다 코로나19 장기화를 고려한다면 내년 상반기까지는 메모리 가격이 급격한 반등을 이루기는 쉽지...
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"내년 D램 생산에 극자외선 공정 도입…낸드플래시 성능 향상" 2020-10-07 06:01:02
EUV 공정을 적용해 1세대 10나노급(1x) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈을 생산하기도 했다. 적층 단수가 많을수록 성능이 좋아지는 낸드플래시는 올해 100단에 이어 내년에는 150단 이상까지 쌓는 것을 반도체 업계가 목표로 할 것이라고 예측했다. 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체 낸드플래시는 격자...
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멈추지 않는 삼성의 '반도체 초격차'…세계최초 EUV D램 양산 2020-08-30 11:08:20
8Gb DDR4 양산 ·2016.09월 1세대 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4/4X 양산 ·2017.11월 2세대 10나노급(1y) 8Gb DDR4 양산 ·2019.03월 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 개발 ·2019.06월 2세대 10나노급(1y) 12Gb LPDDR5 양산 ·2019.09월 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 양산 ·2020.03월 4세대 10나노급(1a) D램(EUV) 개발...
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"레버리지·인버스 거래, 장기 투자성과에 악영향 줄수도" 2020-08-28 13:48:48
인버스(-1X)는 -1%, 인버스 2X(-2X)는 -2%의 수익률을 각각 낸다. 권 연구위원은 "개인 투자자는 이 상품을 활용해 보유 자금 대비 위험 노출 금액을 확대하는 레버리지 효과를 일으킬 수 있으며, 약세장에서 본인 보유 포트폴리오의 성과를 방어하는 헤지 효과를 누릴 수 있다"고 설명했다. 그러나 그는 "이러한 효용에도...
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삼성전자 "2분기 D램 판매가격 약 10% 상승…생산량도 증가"(종합) 2020-07-30 13:27:49
따른 재고 확보 움직임으로 분기, 반기 기준 최대 매출 달성했다"고 설명했다. 아울러 6세대 V낸드 수율 향상이 순조롭고, 하반기부터 램프업(생산량 증대)이 가시화할 전망이라고 밝혔다. D램의 경우 웨이퍼 투입 기준 2분기 말 1x(10나노급 1세대) 이하 공정 비중은 70% 중반으로 올 연말께 80%에 이를 것으로 예상했다....
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