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삼성전자, 초거대 AI 컴퓨팅 탑재 초고성능 D램 'HBM3E' 공개(종합) 2023-10-21 11:32:16
칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 32Gbps(초당 기가비트) GDDR7 D램도 전시했다. GDDR D램은 그래픽, 데이터센터, AI 등 방대한 양의 데이터를 빠르게 처리하는 D램으로, 32Gbps는 업계 최고 속도다. 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차해 더 큰 도약과 함께 도전의...
삼성전자, 초거대 AI 컴퓨팅 탑재 초고성능 D램 'HBM3E' 공개 2023-10-21 03:00:01
칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 32Gbps(초당 기가비트) GDDR7 D램도 전시했다. GDDR D램은 그래픽, 데이터센터, AI 등 방대한 양의 데이터를 빠르게 처리하는 D램으로, 32Gbps는 업계 최고 속도다. 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차해 더 큰 도약과 함께 도전의...
삼성전자 "1000단 V낸드 시대 준비…초거대 AI 주도할 것" 2023-10-21 03:00:01
턴키 서비스도 제공할 예정이다. 이외에도 △현존 최대 용량 '32Gb DDR5(Double Data Rate) D램'△업계 최초 '32Gbps GDDR7(Graphics Double Data Rate) D램' △저장 용량을 획기적으로 향상시켜 최소한의 서버로 방대한 데이터를 처리할 수 있는 'PBSSD(Petabyte Storage)' 등을 소개했다. 최근...
삼성전자, 차세대 메모리 '초격차'…파운드리 '3나노' 세계 첫 양산 2023-10-11 17:21:00
메모리 반도체의 중요성이 계속 커진다는 의미다. 삼성전자는 DDR5 32Gb, 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7 등 AI 시대에 대비한 고용량 D램을 세계 최초로 공개했다. 스마트폰, 자율주행차 등에서 실행되는 AI인 ‘온디바이스 AI’에 특화한 LLW D램도 2024년 말을 목표로 개발 중이다. 중앙처리장치(CPU) 주변에 배치하지 ...
삼성전자, 33兆 저전력 D램도 '초격차' 2023-09-26 18:37:17
메모리 반도체의 중요성이 계속 커진다는 의미다. 삼성전자는 DDR5 32Gb, 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7 등 AI 시대에 대비한 고용량 D램을 세계 최초로 공개했다. 스마트폰, 자율주행차 등에서 실행되는 AI인 ‘온디바이스 AI’에 특화된 LLW D램도 2024년 말 목표로 개발 중이다. 중앙처리장치(CPU) 주변에 배치하지 않...
"'가속 컴퓨팅' 최대 수혜주…'14만닉스' 곧 온다" 2023-09-19 09:20:32
기술의 난이도가 올라가고 있다"며 "RDIMM의 높이를 유지하면서 Density(집적도)를 높이는 기술이 중요하며 모노다이(Mono-Die) Density가 16Gb, 24Gb, 32Gb 등으로 업그레이드되고 있다"라고 설명했다. 더불어 "동사는 최근에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 활용한 HBM3E 개발에 성공했고 동 제품은 열 방출 성능을...
"삼성전자 바짝 쫓는다"…D램 점유율 30% 돌파한 SK하이닉스 2023-09-03 08:07:38
것을 의미한다. 삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈...
HBM 날개 단 SK하이닉스…삼성전자와 점유율 격차 10년새 최저 2023-09-03 06:45:00
도움을 줄 것으로 기대된다. 이번 32Gb DDR5 D램 제품의 경우 HBM을 생산하는 핵심 공정인 '실리콘 관통 전극(TSV) 공정' 없이 제작할 수 있기 때문이다. 이는 TSV 공정 장비를 모두 HBM 생산에 집중할 수 있다는 뜻이다. HBM은 D램을 수직으로 쌓아 성능을 개선한 제품으로 제조 과정에 TSV 공정이 활용된다....
엔비디아에 HBM3 공급 소식에 '다시 7만전자' 2023-09-01 17:16:22
개발한 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램도 기대감을 키우고 있다. 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현, 128GB 모듈을 실리콘 관통 전극(TSV) 공정 없이 제작할 수 있다. HBM을 생산하는 핵심 공정이 TSV인 만큼 TSV 기술을 사용하지 않는 고용량 D램 모듈 제...
삼성전자, 엔비디아 HBM3 공급 기대감↑…주가도 6% 급등 2023-09-01 16:33:20
소식도 기대감을 키우는 요인이다. 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현, 128GB 모듈을 실리콘 관통 전극(TSV) 공정 없이 제작할 수 있다. HBM을 생산하는 핵심 공정이 TSV인 만큼 TSV 기술을 사용하지 않는 고용량 D램 모듈 제작이 가능해지면 그만큼 한정된...