SK하이닉스, 엔비디아 GTC서 AI PC용 고성능 SSD 신제품 공개 2024-03-20 09:36:44

20일 밝혔다. PCB01은 연속 읽기 속도가 초당 14기가바이트(GB), 연속 쓰기 속도는 초당 12GB로 업계 최고 속도를 자랑한다고 SK하이닉스는 설명했다. 이는 이전 세대 대비 2배 향상된 속도로, AI 학습과 추론에 필요한 거대언어모델(LLM)을 1초 이내에 로딩하는 수준이다. 기기 자체적으로 AI를 구동하는 온디바이스 AI...

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SK하이닉스, HBM3E 세계 최초 대량 양산…엔비디아에 납품 시작(종합) 2024-03-19 11:15:39

왔다. SK하이닉스가 이번에 선보인 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀-HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 효과적인 발열 제어를 위해 신제품에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. SK하이닉스의 독자...

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"1명만 가입해도 4명 혜택"…KT, 글로벌 로밍 서비스 확대 2024-03-14 09:44:10

방문 시 혜택이 더욱 클 전망이다. 글로벌 상품은 제공 데이터를 확대하여 3기가바이트(GB)(3만3000원/15일), 6GB(4만4000원/30일), 9GB(6만6000원/30일) 총 3가지 상품으로 준비했다. 로밍 이용 시 데이터를 모두 소진한 경우에는 1GB 단위로 충전하여 추가 사용할 수도 있다. 충전 요금 또한 기존 대비 약 50% 수준으로...

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앤디 판 "캐리 프로토콜, 지속가능한 웹3 게임 성장 도울 것" 2024-03-06 12:58:32

후 플랫폼에 들어오는 데이터는 연간 10 페타바이트에 달해 동남아의 수억 명의 유저들에게 영향을 미쳤습니다. 이후, 저는 에어아시아에서 몇 년 동안 새로운 데이터 부서를 구축하는 일에 참여했고 2023년 캐리 프로토콜 팀을 만나며 암호화폐 산업을 경험할 기회를 얻었습니다. 이 혁신적인 팀과 함께 다시 한 번 미래를...

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"4GB 영화 1편 5초에"…삼성전자, 고성능 마이크로SD 카드 개발 2024-02-28 11:00:04

것"이라고 기대했다. 삼성전자는 최신 V낸드 기반 1테라바이트(TB) UHS-Ⅰ마이크로SD 카드도 올해 3분기 출시 예정이다. 삼성전자는 최신 8세대 1테라비트(Tb) 고용량 V낸드를 8단으로 안정적으로 쌓아 패키징해 기존 SSD에서 구현할 수 있었던 TB급 고용량을 소형 폼팩터인 마이크로SD 카드에서도 구현해냈다고 설명했다....

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"영화 1편 5초 만에 전송"…삼성 고성능 '마이크로SD' 카드 첫 개발 2024-02-28 11:00:02

갖춘 고용량 1테라바이트(1TB) UHS-Ⅰ마이크로SD 카드를 양산한다. 최신 8세대 1테라비트(Terabit) 고용량 V낸드를 8단으로 안정적으로 쌓아 패키징해 기존 SSD에서 구현할 수 있었던 테라바이트급 고용량을 소형 폼팩터인 마이크로SD 카드에서도 구현해냈다. 이 제품은 방수, 낙하, 마모, 엑스레이, 자기장, 온도 변화 등...

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"삼성이 샘플 돌렸대" 깜짝 소식…하루 만에 300억 몰렸다 2024-02-28 08:26:24

반응을 이끌어낸 것으로 보인다. 전날 삼성전자는 "24Gb(기가비트) D램 칩을 12단까지 쌓아 올려 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단 제품을 구현했다"고 밝혔다. 서버 시스템에 이 제품을 적용하면 전작인 HBM 8H(8단 적층)보다 인공지능(AI) 학습 훈련 속도를 평균 34% 향상할 수 있다는 설명이다. 삼성전자는...

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삼성의 반격…업계 첫 '12단 HBM3E' 개발 2024-02-27 18:50:10

업계 최대 용량의 인공지능(AI)용 D램인 ‘12단 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 고대역폭메모리·사진)’다. 삼성전자의 특기인 기술력과 생산 능력을 앞세워 차세대 제품인 ‘HBM3E 납품 경쟁’에서 주도권을 잡겠다는 포석으로 분석된다. 삼성전자는 27일 “24Gb(기가비트) D램 칩을 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 3...

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삼성전자, 'HBM3E 12H' 최초 개발…상반기 양산 2024-02-27 11:01:00

최초로 36GB(기가바이트) HBM3E 12H(12단 적층) D램 개발에 성공했다고 27일 밝혔다. 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다. AI반도체 선점 경쟁이 치열해지면서 양산 시점도 앞당긴 것이다. HBM3E 12H는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via) 기술로 12단까지 쌓은 것이다. 초당...

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