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SK하이닉스, '세계 최고층' 321단 낸드 양산…내년 상반기 공급 2024-11-21 09:10:47
스토리지 시장 공략…"'풀스택 AI 메모리 프로바이더'로 도약" (서울=연합뉴스) 장하나 기자 = SK하이닉스[000660]가 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다. SK하이닉스는 "이번에 300단을 넘어서는 낸드를 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다"며 "내년...
"빅데이터로 K기업 체질 개선…6G·UAM 표준특허 선점할 것" 2024-11-18 17:25:51
양극과 음극, 분리막 등을 적층하는 셀 스택에 관한 핵심 특허 7건을 보유하고 있는 우원기술은 지난해 IP 담보대출 100억원을 받았다. 이후 영업이 본궤도에 올라 1억달러 수출을 성사시켰다. 건강기능식품 제조업체 지에프퍼멘텍은 지난해 받은 IP 담보대출 10억원을 운영 자금으로 활용해 올 1분기 매출을 전년 동기보다...
정몽구서 시작된 수소 도전…정의선 이르러 '퍼스트무버' 안착 2024-10-31 17:25:00
활용해 재설계한 스택을 기반으로 '투싼ix 퓨얼셀'을 선보였다. 투싼ix 퓨얼셀의 양산으로 리얼 로드 기반의 데이터 수집이 가능해지자 현대차는 이에 기반해 2018년 수소전기차 전용 모델 '넥쏘'도 출시했다. 넥쏘는 출시되자마자 유럽 신차 안정성 평가 프로그램에서 최고 등급을 획득했고, 미국 자동차...
삼성전자, 세계 첫 QLC 9세대 낸드 양산 2024-09-12 17:40:52
‘셀’을 몇 비트로 저장하는지에 따라 SLC(1비트), MLC(2비트), TLC(3비트), QLC(4비트) 등으로 나뉜다. 비트 수가 늘어날수록 더 많은 용량을 처리할 수 있다. 신제품은 ‘채널 홀 에칭’ 기술을 두 번 활용해(더블 스택) 업계 최고 단수인 286단을 구현했다. 채널 홀 에칭은 몰드(배선)층을 순차적으로 쌓은 뒤 한 번에...
삼성전자 또 '업계 최초'…"AI용 SSD 최신 라인업 모두 갖춰" 2024-09-12 14:25:04
낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(비트라인)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'도 적용했다. 데이터 읽기·쓰기 소비 전력을 전 세대보다 각각 30%, 50%씩 줄였다. 삼성전자는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현했다. 채널 홀 에칭은 몰드...
삼성전자, 업계 최초 'QLC 9세대 V낸드' 양산 2024-09-12 10:29:13
최초로 양산했다고 12일 밝혔다. QLC는 내는 기본 저장 단위인 셀에 4비트 데이터를 기록할 수 있는 구조로, 용량을 대폭 늘릴 것이 특징이다. 삼성전자는 지난 4월 'TLC 9세대 V낸드'를 최초 양산한데 이어 QLC 제품까지 선보이며 고용량·고성능 낸드플래시 시장 공략을 가속화한다. 삼성 9세대 V낸드는 '...
삼성전자 '1Tb QLC 9세대 V낸드' 양산…"AI 시대 이끌 것"(종합) 2024-09-12 09:05:07
'1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다. 삼성 9세대 V낸드는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용, 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다. 채널 홀 에칭은 몰드 층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히...
"기업용 SSD 시장 리더십 부각…업계 최초" 2024-09-12 08:58:20
서버 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 위한 '1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다. 삼성 9세대 V낸드는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈으며, 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀과 페리의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC...
삼성전자 '1Tb QLC 9세대 V낸드' 양산…"업계 최초" 2024-09-12 08:47:06
'1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다. 삼성 9세대 V낸드는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다. 채널 홀 에칭은 몰드 층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히...
덴티움, 차세대 연료전지 기술 개발 위해 중국과 연구협력 2024-08-16 16:35:21
셀 및 스택의 전기화학적 성능과 열적 안정성을 향상시키기 위해 두 단계로 나누어 연구를 진행하고자 한다. 첫 단계에서는 단일 SOFC 셀의 프로토타입을 제작하고, 전해질 및 전극의 재료 조성과 제조 공정을 최적화한다. 두 번째 단계에서는 다층 셀 스택을 제작해 실용적인 전력 시스템으로서의 잠재력을 평가하고, 전극...