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AMAT, '2나노 이하' 칩 구리 배선 혁신기술 공개…컴퓨팅 효율↑ 2024-10-14 11:31:02
통합재료설루션(IMS)을 내놓았다. 최소 유전율(물질에 전기장을 걸 때 전기장이 변하는 비율)을 낮춘 절연체 '블랙 다이아몬드'의 최신 버전과 6개 기술을 하나의 고진공 시스템에 조합한 '엔듀라 쿠퍼 배리어 씨드 IMS'다. '엔듀라 쿠퍼 배리어 씨드 IMS'는 업계 최초로 양산 과정에 상용 촉매 중...
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고무처럼 늘어나도 통신 성능 그대로…신축성 기판소재 개발 2024-05-23 00:00:00
동시에 덩어리가 찌그러지면서 기판의 유전율(물질에 전기장을 걸 때 전기장이 변하는 비율)이 떨어진다. 이런 특성을 회로의 주파수 대역과 맞춰 회로가 휘어질 때 생기는 주파수 변화를 유전율 변화가 보완함으로써 회로가 송수신하는 주파수 대역을 유지해 주는 것이다. 어떤 방향으로 30%까지 늘려도 성능을 그대로...
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SK하이닉스, '현존 유일' 24GB 패키지 LPDDR5X D램 양산 2023-08-11 09:17:33
HKMG 공정을 도입해 LPDDR5X 양산에 성공했다. HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다. SK하이닉스는 8세대 LPDDR6 공식 출시 전인 지난 1월 LPDDR5X의 성능을 업그레이드해 자체...
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SK하이닉스 서버용 D램 10나노급 인텔서 첫 검증 2023-05-30 18:01:26
이상 줄였다. HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 공정이다. D램의 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 게 특징으로 꼽힌다. 김종환 SK하이닉스 DRAM개발담당(부사장)은 “내년 상반기엔 1b 공정을 저전력 D램인 ‘LPDDR5T’,...
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'1초에 풀HD 영화 10편처리'…SK하이닉스, 가장빠른 D램 개발 2023-05-30 09:35:30
대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다. HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 것이 특징이다. SK하이닉스는 1b 기술 개발을 통해 높은 성능과 우수한 전력효율을 갖춘 D램 제품...
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SK하이닉스 10나노급 5세대 DDR5, 인텔 호환성 검증 돌입 2023-05-30 09:16:42
20% 이상 줄였다. HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정을 말한다. SK하이닉스는 지난해 11월 모바일 D램에서 HKMG 공정을 세계 최초로 도입한 8.5Gbps LPDDR5X를 출시한 뒤, 올해 1월에는 9.6Gbps LPDDR5T 모바일 D램에도 HKMG 공정을...
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삼성전자, 최첨단 12나노급 D램 세계 첫 양산 2023-05-18 18:34:56
삼성전자의 설명이다. 유전율(K)이 높은 신소재를 통해 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸다는 점도 부각시켰다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터가 확실하게 구분돼 오류 발생 가능성이 크게 낮아진다. 빠른 데이터 처리 속도도 장점으로 꼽힌다. 최고 동작 속도는 7.2Gbps(초당 전송되는 기가비트 단위)다....
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삼성전자, 업계 최선단 12나노급 D램 양산…"기술 리더십 공고" 2023-05-18 11:00:03
있다. 삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸다고 설명했다. D램은 커패시터에 저장된 전하로 1과 0을 구분하기 때문에 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분돼 오류가 발생하지 않는다. 이와 함께 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더...
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첨단 미세공정 속도…삼성, 최선단 12나노급 D램 양산 2023-05-18 11:00:00
명확해지고 오류가 발생하지 않는다. 회사는 이번 제품에 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸다. 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용됐다. DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB...
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5월 과기인상에 신현석 교수…초저유전물질 합성법 개발 2023-05-03 12:00:15
신 교수 연구팀은 순수한 비정질 질화붕소(aBN)가 유전율(1.89)이 매우 낮아, 메모리 반도체와 시스템 반도체 전반에 적용할 수 있는 소재임을 밝혔다. 이는 현재 반도체 산업에 주로 사용되는 다공성 유기규산염 유전율 2.5보다 30% 낮은 수치다. 신 교수 연구팀은 나아가 화학기상증착(CVD) 방법에 플라스마 기술을...
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