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올해 새로운 '괴물 HBM' 출격 작년보다 더 날아오를 하이닉스 2025-01-23 17:52:55
D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징이다. SK하이닉스는 생산능력 확대를 위해 올해 투자도 늘릴 것으로 알려졌다. 충북 청주에 건설 중인 M15X 팹을 올해 4분기 가동하고, 2027년 2분기부터 운영할 용인 반도체...
'역대급 실적' SK하이닉스..."HBM 매출 두 배" 2025-01-23 17:31:41
이해하시면 되는데요, SK하이닉스는 지난해 하반기 1c나노 기술개발을 완료했는데, 이전세대에 비해 처리성능은 28%, 전력효율은 9% 좋아져 양산성을 확보했다고 발표했습니다. 이 1c나노기술을 HBM4E(7세대) 개발에 적용합니다. AI칩 개발이 가속화되면서 고성능 메모리 수요도 급증하고 있기 때문에 미리 대비하겠다는...
'역대급 실적' SK하이닉스…"올해 HBM 100% 성장" 2025-01-23 14:44:41
이해하시면 되는데요, SK하이닉스는 지난해 하반기 1c나노 기술개발을 완료했는데, 이전세대에 비해 처리성능은 28%, 전력효율은 9% 좋아져 양산성을 확보했다고 발표했습니다. 이 1c나노기술을 HBM4E(7세대) 개발에 적용합니다. AI칩 개발이 가속화되면서 고성능 메모리 수요도 급증하고 있기 때문에 미리 대비하겠다는...
SK하이닉스, 사상 최대 실적 경신...HBM 매출 상승 전망 2025-01-23 14:14:34
1c 나노 기술을 적용할 계획임. - 낸드 플래시 부분은 중국 업체들의 추격과 수요 감소로 인해 27%의 적지 않은 매출 비중에도 불구하고, SK하이닉스는 삼성전자나 마이크론과 함께 낸드 감산에 나설 것으로 보임. - 한편, 구형 메모리 분야에서는 중국이 자국 제품을 사용하며 점유율을 늘리고 있으나, SK하이닉스는...
SK하이닉스, '10나노급 6세대 D램' 세계 첫 양산 초읽기 2025-01-17 18:41:47
1c) 미세공정을 적용한 D램을 이르면 내달 세계 최초로 양산한다. 17일 업계에 따르면 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(부사장)은 지난 15일 임직원 소통 행사에서 10나노급 6세대 D램에 관해 "14일 매스퀄이 났다"고 말했다. 매스퀄은 양산 인증을 의미한다. 회사에서 생산한 6세대 D램의 품질과 수율이 본격적인...
삼성 '메모리·파운드리' 동반부진…"HBM4·고부가 D램이 승부처" 2025-01-08 17:57:34
○1C D램 개발 ‘배수진’삼성전자는 지난해 5월 전영현 DS부문장(부회장) 취임 이후 반도체 경쟁력 회복을 위한 중장기 전략을 차근차근 실행하고 있다. 첫 시험대는 HBM3E 8단과 12단 제품을 엔비디아에 납품하는 것이다. 삼성전자는 지난해부터 HBM3E를 AMD에 공급하고 있지만 엔비디아의 벽은 아직 못 넘고 있다. 올...
美의회내 한반도 전술핵 재배치 목소리 커질까 2024-12-26 13:36:27
미사일(MGM-1C)이 반입됐다. 가장 많을 때는 1970년대에 700발에 달하는 전술핵이 배치돼있었다. 군산 공군기지에서는 한때 F4 팬텀 4기가 핵폭탄을 장착하고 상시 대기 태세를 갖추고 있었다. 하지만 미군의 전술핵은 북한의 침략에 대비하는 억제 효과도 있었지만 중국의 참전 가능성에 대비한 성격이 짙었다. 미국과...
HBM 신화 주역…추격자에서 개척자로[SK하이닉스 곽노정 사장-2024 올해의 CEO] 2024-12-23 06:07:07
의미다. SK하이닉스는 올해 8월 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다. 회사는 연내 1c DDR5 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어나갈 계획이다. 낸드 부문에서도 지난 11월 세계 최고층인 ‘321단 1Tb(테라비트) TLC...
'르네상스 원년' SK하이닉스, 혁신 주역에 최고상 시상 2024-12-20 09:49:46
테크 대상은 1c㎚ D램 개발 및 원가 절감(D램개발), 극자외선(EUV) 생산성 향상을 통한 투자비 절감(제조/기술) 사례가 수상했다. 퓨처 패스파인딩 대상은 웨이퍼 본딩 양산 체계 구축을 통한 인공지능(AI)용 메모리 제품 경쟁력 확보(미래기술연구원)와 고대역폭 메모리(HBM) 테스트 설루션 고도화를 통한 투자비 절감(AI...
삼성전자, 내년 상반기 승부...HBM4 선점 '특명' 2024-12-17 17:31:32
삼성전자가 택한 건 SK하이닉스보다 한 세대 앞선 '1c 공정'입니다. 1c 공정은 극미세화된 D램 공정 기술로 속도와 전력 효율을 크게 높일 수 있으나, 수율 확보가 어렵고 초기 생산 과정에서 리스크가 크다는 단점이 있어, 삼성이 그만큼 승부수를 띄운 것이라 해석할 수 있습니다. 이외에도 삼성은 미국 도널...